• 大模型集群从万卡到十万卡，GPU:光模块≈1:8~1:12，带宽需求指数级增长。

• 800G/1.6T 光模块2026年预计146亿美元，占光模块市场64% 。

• 光芯片从“通信配件”升级为决定算力上限的战略资源 。

• 高端光芯片（25G+）国产化率仅4%，长期被 Lumentum、Broadcom垄断。

• EML/CW 激光器严重缺货，缺口25%–30%，交期6个月以上，至少持续到2027年 。

• 海外扩产慢、设备受限，产能天花板明显，中国厂商有机会填空。

• 25G DFB/EML：光迅、源杰、三安批量供货。

• 100G EML：长光华芯、源杰2025–2026年量产，进入国际供应链 。

• 硅光/CPO：仕佳、华工、光迅加速验证，避开InP瓶颈，换道超车。

• 产业链完整：设计—外延—制造—封测—模块全覆盖，成本和响应速度优势明显。

• 工信部2026年6月发文：2028年核心光芯片自主可控率≥70%。

• “十五五”将高速光电芯片列为核心攻关对象，运营商集采倾斜。

• 一级市场2024–2026年融资超300亿元，头部企业产能快速扩张 。

• 海外验证周期长（18–24个月），2025–2027是国产替代黄金期 。

• 800G放量、1.6T起量、CPO试点，三代技术切换叠加，后发者易超车。

• 2028年后海外新产能落地，窗口期将收窄 。

1. 线宽越来越窄，铜线中的电子表面散射、界散射显著增强，实际电阻率上升。
2. 铜需要 barrier / liner 防止扩散并帮助粘附，Ta/TaN、Co、Ru 等辅助层会占掉越来越多的有效导电截面积。
3. 低k介质越来越薄、机械强度下降，RC delay、IR drop、可靠性和3D堆叠强度一起变成瓶颈。

3. 钼在先进半导体中的主要应用路径

1. 裸片Die面积：约399–400 mm²（行业统一表述400mm²）

• 晶圆一片光罩约800mm²，刚好容纳两颗M100裸片，印证400mm²左右尺寸。

• 晶体管规模约400亿颗，台积电5nm N5A车规工艺。

1. 场景需求完全不同

• M100车载智驾：24核A78AE CPU + 56单元超大NPU + 多路内存控制器、大量片上SRAM，持续百瓦级算力，必须做大裸片堆叠计算单元。

• 台积电EUV 5nm：支持400mm²超大裸片，良率可控，专门针对车规大尺寸AI芯片优化。

• 光刻与量测：Onto Innovation的JetStep S3500光刻系统专为面板级先进封装生产设计。该系统能够处理由贴装精度误差、CTE（热膨胀系数）失配及面板翘曲所导致的芯片偏移。它拥有大曝光场（59.4 × 59.4 mm），分辨能力可达 2/2 μm 线宽/线距（L/S），并可选配提升至 1/1 μm 的分辨率。此外，系统支持多种曝光波长，非常适合使用新型光敏聚合物进行工艺开发。针对特定应用的选项包括翘曲面板处理、实时光学对焦，以及芯片偏移校正，从而确保面板级封装的精确性与可靠性。ASML、尼康佳能、牛尾（Ushio）、SCREEN等厂商也在布局相关产品。

• RDL设备：Manz 亚智科技成功交付全球首台310mm × 310mm面板级封裝（PLP）电化学沉积（Electrochemical Deposition, ECD）量产设备。全新ECD平台可灵活支援玻璃与金属方形载具，并整合重布线层（RDL）关键湿制程技术，提供应用于FOPLP、CoPoS、TGV等先进封装架构的量产解决方案。以ECD设备为核心，Manz亚智科技此次出机还进一步整合清洗、显影、蚀刻及剥膜等关键湿制程设备，并支援旋转喷洒（Spin）与面喷洒（Spray）双制程模式，形成完整的面板级RDL制程解决方案Omni 310x。Omni 310x (310mm × 310mm) 正式加入既有Omni 510x（510mm × 515mm）及Omni 700x（700mm × 700mm）系列，形成完整的面板级量产平台布局。通过模组化设计架构与弹性自动化整合能力，可依不同客户的产品架构、封装技术与产能需求进行客制化配置，提供更具弹性的技术路径，支援从研发验证、试量产到大规模生产的各阶段需求。

• 激光通孔：德国通快集团与德国SCHMID 集团合作开发了“激光蚀刻+湿法化学处理”工艺。该工艺首先利用通快的TruMicro系列超短脉冲激光器与TOP Cleave玻璃加工专用激光聚焦头，有选择性地对玻璃做改性处理；随后再用蚀刻溶液刻蚀掉经过激光改性的区域，生成所需要的高精度通孔。