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求是缘半导体周要闻－莫大康(2026.8.31)
来源: | 作者:芯缘 | 发布时间: 2026-09-02 | 0 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:

01

IDC国际数据公司对具身智能机器人的四大核心判断

1.技术竞争进入系统能力竞争阶段
模型、算力、数据协同；VLA视觉-语言-动作模型、世界模型、数据飞轮是核心。单点硬件优势不再够用，整套系统集成能力决定壁垒。
2.商业价值由场景试点验证，走向大规模复制落地
行业重心从炫技演示，转向工程交付、真实场景适配、商业模式跑通，能实现规模化部署的企业占据优势。
3.生态能力成为产业分水岭
开源平台、上下游协同、数据闭环、软硬件生态，不再是加分项，而是企业长期生存必备条件。
4.中国厂商有望引领全球产业化
依托完整制造供应链、海量应用场景、庞大数据积累，国内企业在机器人商业化落地具备明显优势。
02

2Q26全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增77%，达688.7亿美元
根据TrendForce集邦咨询最新NAND Flash产业研究，2026年第二季AI Server采购力度维持稳健，尤其Enterprise SSD需求旺盛，导致整体NAND Flash市场供不应求，原厂得以借由议价机制大幅调涨产品平均销售单价（ASP）。因此，在已上市NAND Flash品牌中，前五大厂商合计营收季增77%，达688.7亿美元。
展望第三季营收概况，尽管智能手机、PC终端因BOM（物料清单）成本垫高推升整机售价，动能较弱，AI Server对Enterprise SSD需求持续旺盛，加上原厂普遍优先投入资本支出于DRAM/HBM，NAND Flash新增产能有限，预估第三季ASP将继续支撑产业总额成长。
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03

台积电1.6nm工艺Q4量产，英伟达“费曼”GPU锁定首发产能
据台媒援引业界消息称，台积电已完成A16（1.6纳米级）制程的开发与验证，计划于今年第四季度正式进入量产。
A16是台积电首个采用“超级电源轨”（Super Power Rail，简称SPR）背面供电网络（BSPDN）技术的埃米级CMOS平台，标志着先进制程从纳米时代正式迈入埃米时代。
台积电此前多次公开表示将在2026年内完成A16技术开发并于第四季度量产，此次开发与验证的完成意味着该路线图如期兑现。A16主要面向人工智能（AI）与高性能计算（HPC）芯片市场，被台积电定位为2纳米N2P工艺之后的关A16的核心技术亮点在于SPR背面供电架构。传统芯片正面需同时承载供电线路与信号互连，随着制程节点不断缩小，布线空间日趋拥挤，IR Drop（电阻压降）问题加剧。SPR技术将电源网络从晶圆正面迁移至背面，通过专用垂直背面接点（VB）直接向晶体管源极和漏极供电，实现供电线路与信号线路的物理空间完全分离。
相较于增强版2纳米工艺N2P，A16在同等功耗下性能提升8%至10%，同等性能下功耗降低15%至20%，芯片密度提升8%至10%。三项指标同步改善，对需兼顾高吞吐量与严格功率上限的AI加速器和HPC芯片具有显著吸引力。
尤为关键的是，台积电将对正面晶体管结构和既有设计生态的改动控制在最低水平。据华尔街见闻报道，A16保留了N2P的栅极密度和NanoFlex设计弹性，已基于台积电先进制程进行设计的客户向A16迁移时，无需对标准单元和设计架构进行大规模重构。这一兼容性优势对设计周期长、IP复杂度高的AI芯片客户尤为重要。
供应链消息显示，英伟达已锁定台积电A16制程用于下一代代号为“费曼”（Feynman）的GPU微架构，并直接跳过N2（2纳米）系列节点，但也有报道称可能采用A16+N3P混合工艺以应对产能约束。“费曼”GPU计划于2028年下半年量产，将取代当前的Rubin和Rubin Ultra架构。
业界分析指出，英伟达选择跳过N2直取A16，核心原因在于A16的背面供电技术能为功耗达数千瓦级的巨型AI GPU提供更优的能效表现，同时设计迁移成本可控。NVIDIA作为台积电长期核心客户的率先“选边”，为A16制程提供了有力的市场背书。
在台积电A16加速落地的同期，竞争对手三星晶圆代工却在先进制程路线上出现调整。上月初，三星在SAFE Forum 2026论坛（韩国首尔场）上更新技术蓝图，将1.4纳米（SF1.4）量产时间从此前预告的2027年推迟至2029年，为官方首次公开确认延后。
三星将资源重心转向2纳米（SF2）及其衍生工艺SF2P的良率稳定化和性能优化，Exynos 2800智能手机版旗舰处理器的制造工艺也从原计划的1.4纳米调整为2纳米先进版本。目前，三星已在NRD-K先进研究设施安装ASML高数值孔径EUV光刻设备，为2029年SF1.4量产做准备。
对比来看，台积电A14（1.4纳米级）计划2028年量产，三星SF1.4则定于2029年，两者相差约一年。而台积电A16今年第四季度即将量产，三星在埃米级制程上的实际产能落地预计将更晚。
值得注意的是，随着AI芯片需求持续攀升，台积电先进封装技术CoWoS的产能瓶颈日益凸显。台媒还报道称，台积电部分CoWoS先进封装后段订单外溢至英特尔马来西亚工厂，以部分产能合作支持共同大客户。台湾经济研究院研究员刘佩真预测，随着产业链走向更精细的专业化分工与区域化互补，AI半导体供应链正从过去的“赢家通吃”模式转向协同共进，共同做大AI市场。
04

美国发最后通牒逼全球AI选边站队，中方强势回应
近期，美国政府试图在人工智能（AI）领域强行划定阵营边界，引发国际社会广泛关注。
据外媒披露，美国国务院正计划致函今年6月签署《人工智能机遇伙伴关系联合声明》的30-35个联署国，要求这些国家在中美两国主导的AI生态系统中做出明确的“二选一”抉择。美方在信函草案中措辞强硬，宣称“参与一切等同于什么都没有参与”，并警告相关国家“若加入与美方目标冲突的其他机制，将被排除在美国主导的AI联盟之外。“
尽管未直接点名中国，但美国施压矛头直指中方倡议成立的世界人工智能合作组织（WAICO），意图通过切断资源获取渠道来遏制中国AI技术的发展。
分析指出，此举的直接导火索，是哈萨克斯坦成为目前已知唯一同时参与美国“硅和平”(Pax Silica)倡议与中国WAICO的国家。哈萨克斯坦凭借丰富的关键矿产资源，同时在中美两大AI框架中寻求合作，这触动了华盛顿的敏感神经。为了逼迫各国“站队”，美国不惜推翻自己此前的承诺。因为就在数月前，美国副国务卿还曾信誓旦旦地表示“硅和平联盟”并非排他性组织，无需各国选边站队。如今这种出尔反尔的做法，不仅暴露了其将科技合作异化为地缘政治筹码的真实面目，也严重损害了美国的国际信誉。
简单对比一下美国主导的“硅和平”倡议与中国倡导的WAICO，便能更进一步看清两者在底层逻辑上的根本分歧。首先是合作导向的差异。“硅和平”倡议的核心逻辑是“供应链安全”与“去风险化”，旨在通过构建排他性的“可信伙伴”圈子，将关键矿产、半导体及AI算力等核心资源牢牢掌控在西方阵营手中，本质上是对中国AI产业链的围堵与遏制。相反，WAICO的底层逻辑是“普惠共享”与“能力建设”，明确将帮助全球南方国家加强AI能力、弥合数字鸿沟作为核心目标，主张技术向善与开放合作，不设排他性门槛。
其次是成员构成与利益诉求的错位。“硅和平”目前的签约国多为发达经济体或美国传统盟友，它们主要扮演高端制造、技术输出或资源供给的角色，服务于美国维持全球技术霸权的战略。而WAICO的创始成员国绝大多数是发展中国家和“全球南方”国家。这些国家最迫切的需求并非参与大国博弈，而是获取可负担的算力、开源大模型以及本土AI人才的培养，WAICO恰好精准回应了这一痛点。
最后是机制约束与外交空间的对比。“硅和平”要求成员国在出口管制、投资审查等政策上与美国保持高度一致，实质上压缩了参与国的外交与产业自主空间。而WAICO遵循《联合国宪章》宗旨，秉持“共商共建共享”原则，加入该组织完全不影响各国与第三方开展合作。正是这种“开放包容”与“封闭排他”的鲜明反差，使得越来越多的国家倾向于在两大机制中寻求平衡，实现利益最大化。
针对美方大搞阵营对抗的行径，中国外交部发言人林剑回应称，人工智能是全人类共同的智慧结晶和宝贵财富。国际社会普遍期待广泛开展人工智能合作，各国有权根据自身国情和发展需要选择合作伙伴。中方坚决反对在人工智能问题上搞选边站队、阵营对抗，希望各方摒弃零和思维，坚持和衷共济，尊重各国数字主权，携手构建公正合理的全球人工智能治理体系，让人工智能成为促进共同繁荣、维护共同安全的重要动力源
05

台积电竟找英特尔代工CoWoS炸裂AI变天了
这几天，半导体圈子里炸了锅：台积电CoWoS产能爆单，竟然把部分后段订单外溢给了英特尔旗下的马来西亚厂。
以前，封装属于半导体行业的“后道工序”，技术含量相对低，也就是我们常说的“封测”，劳动密集型，利润薄。但现在，CoWoS成了AI芯片的“命门”。 没有CoWoS，英伟达的HBM就挂不到GPU上；没有CoWoS，再先进的制程也只能是个光杆司令。
于是，尴尬的局面出现了：前端的晶圆制造（台积电的最强项）跑得飞快，但后端的CoWoS封装（以前的小弟）步子迈不开。 这就像你法拉利的引擎造出来了，但是车轴还没装好，车还是开不走。这就是所谓的“产能瓶颈”。
据业内传出的消息，目前CoWoS的产能缺口大得吓人，英伟达、AMD、博通，甚至连自研芯片的谷歌、亚马逊都在排队。 史上首次：敌人的敌人是“朋友” 现在我们回过头来看这则新闻的核心：台积电找英特尔代工。
台积电和英特尔是什么关系？在晶圆代工领域，那是赤裸裸的竞争对手。英特尔这几年拼命搞IDM 2.0战略，就是要抢台积电的饭碗。现在，台积电居然把订单送到了英特尔嘴里？ 这说明了一件事：在绝对的产能短缺面前，商业敌对关系也得靠边站。
据供应链透露，这次外溢的主要是后段的封装测试环节，地点在英特尔马来西亚的厂区。大家别小看马来西亚，那里可是全球半导体封测的重镇。英特尔在那里的布局非常深，具备一定的先进封装能力。 这对台积电来说，是一个极其务实但也极其无奈的选择。扩建CoWoS产能需要时间，建厂、买设备、调良率，没有一年半载下不来。
但AI的客户们（主要是那个穿皮衣的男人）每天都在催货：“老苏啊，我的HBM在哪？我的GPU在哪？” 客户就是上帝，上帝催命，台积电只能找“外援”。 而对于英特尔来说，这简直是天上掉馅饼。
帕特·基尔辛格（Pat Gelsinger，英特尔CEO）做梦都想的局面发生了：台积电的订单流进了英特尔的工厂。这不仅意味着收入，更意味着一种“信任背书”。
虽然只是封测环节，但这证明了英特尔在先进封装领域的技术储备是得到行业认可的。这对英特尔推广自己的IFS（代工服务）是一个巨大的广告。
涨价潮来袭：封装不再是“苦力活” 这波产能紧缺，最直接的后果就是——涨价。 新闻里提到，日月光（ASE）已经把先进封装的报价最高上调了超过20%，利扬芯片的测试服务也涨价了10%到15%。这还只是开始。
根据权威机构Yole Group的预测数据，2.5D/3D先进封装市场到2030年有望接近350亿美元。 大家注意，这可是一个从边缘走向核心的巨大市场。 在过去，封装厂的毛利率可能只有个位数到十几，顶天了20%。但是现在，因为CoWoS这种技术门槛极高，能做的人不多，所以它的议价能力瞬间飙升。 这就像以前大家觉得送外卖是苦力活，结果现在大家都点外卖，外卖小哥成了城市运转的刚需，不仅涨价，还得平台抢着给补贴。
对于整个产业链来说，这是一个明确的信号：先进封装已经从“后道工序”升级为了“核心资产”。 谁手里有CoWoS产能，谁就掌握了AI芯片的交付权。这也解释了为什么最近A股和港股的半导体封测板块走得这么强。资金是聪明的，它们知道，现在的逻辑变了：以前看光刻机，现在看封测线。
产业链的连锁反应：谁是最大赢家？ 这波“外溢”效应，不仅仅影响了台积电和英特尔，还在整个产业链上引发了一系列蝴蝶效应。

  1. 设备商的狂欢 CoWoS产能扩建，最先受益的是设备商。做封装设备的，比如K&S（库力索法）、ASMPT（华峰半导体）、Besi，他们的订单早就排到明年去了。特别是那些做热压键合（TCB）设备的，简直是印钞机。因为HBM堆叠层数越来越多，没有高精度的TCB设备，根本玩不转。
  2. 材料商的春天 CoWoS需要大量的ABF载板（ABF Substrate）。这玩意儿之前也缺过一阵子，现在随着CoWoS爆单，像欣兴电子、揖斐电（Ibiden）、景硕这些载板大厂，产能利用率也是满负荷运转。
    此外，底填胶、环氧树脂这些材料，需求量也是水涨船高。
  3. HBM厂商的“甜蜜的烦恼” SK海力士、三星、美光，这三大HBM巨头现在也是既开心又痛苦。开心的是HBM价格飙升，利润爆表；痛苦的是他们的产能也跟不上。
    而CoWoS产能的释放，反过来也限制了HBM的出货量。毕竟，HBM造出来得通过CoWoS封装到GPU上才能卖。所以，台积电找英特尔帮忙，对海力士他们来说也是利好。
  4. 传统封测厂的危机与机遇 对于长电科技、通富微电、华天科技这些国内封测巨头来说，这既是压力也是动力。压力在于，如果自己不能快速突破2.5D/3D封装技术，未来的高端订单可能就与它们无缘。机遇在于，现在全球产能紧缺，只要能拿出一部分产能，或者技术上有突破，就能迅速切入供应链。 深度思考：摩尔定律的“续命丹” 这则新闻背后，其实折射出半导体行业发展的一个重大转折点。

我们都知道，摩尔定律快死了。晶体管越小越难做，EUV光刻机再贵，物理极限也摆在那里。那么，芯片性能还要不要提升？AI算力还要不要暴涨？ 答案是肯定的。那路在何方？ 答案就在先进封装。 以前我们追求把芯片做小，现在我们追求把芯片“连”好。通过CoWoS、SoIC、Foveros这些技术，我们不再死磕单一芯片的制程，而是把不同的模块（计算、存储、IO）像乐高一样拼在一起。这不仅能提升性能，还能降低设计成本和风险。 这就是所谓的“Chiplet（芯粒）”时代。
台积电这次订单外溢，从某种意义上说，是Chiplet时代生态分工的一次预演。 在未来，可能没有哪一家公司能独立包揽所有环节。哪怕强如台积电，也需要伙伴。
06

高盛大幅上调全球晶圆厂设备支出！存储与先进代工成主引擎
第二季度财报季披露的半导体资本开支数据普遍超预期，叠加设备供应商给出更为乐观的前景展望，共同驱动此轮预测大幅修正。2026年WFE同比增速预期从此前的32%上调至36%，2027年从32%跳升至45%，2028年则从12%大幅提升至29%。将2026至2028年全球晶圆厂设备支出预测大幅上调至1500亿、2180亿及2810亿美元，增速预期远超此前判断。
一场"超预期"的景气周期重估
高盛在2026年8月23日发布的最新报告中，对全球晶圆厂设备（WFE）支出预测进行了跨越式上调，这不仅是一次数字修正，更是一次对半导体资本开支周期持续性和强度的范式重估。
1.1 总体预测：从"强劲"到"超强劲"（货币单位：亿美元）
年份
新版预测
新版增速
旧版增速
增速差
2026
1,500
36%
32%
+4pct
2027
2,180
45%
32%
+13pct
2028
2,810
29%
12%
+17pct
关键洞察： 上调幅度呈现"越远期、越激进"的特征——2028年增速预期从12%跳升至29%，近乎翻了两倍半。这意味着高盛认为，半导体资本开支的景气周期不仅不会在2027年见顶回落，反而将在2028年维持接近30%的高增速。这是一个典型的"周期延长+强度放大"双重乐观信号。
1.2 周期定位：景气延续至2028年
报告明确指出，第二季度财报季披露的半导体资本开支数据普遍超预期，叠加设备供应商给出更为乐观的前景展望，共同驱动此轮预测修正。高盛维持对半导体设备板块的整体看多立场，行业景气周期有望一路延续至2028年。
分领域深度剖析：四大引擎的差异化逻辑
2.1 代工（Foundry）：台积电N2制程——"技术强制升级"驱动（货币单位：亿美元）
年份
新版WFE预测
新版增速
旧版增速
2026
580
45%
30%
2027
840
45%
30%
2028
1,090
30%
16%
核心驱动力：台积电N2制程扩产

  • 台积电2026-2028年每年资本开支预测各上调80亿美元
  • N2制程的设备投入强度高于预期
  • 客户需求持续旺盛，未来数个季度进入量产爬坡阶段

深层逻辑： N2（2纳米）制程不是简单的"产能扩张"，而是"技术强制升级"。先进逻辑制程的每一代迁移，都意味着全新的设备需求（EUV光刻、先进封装、量测设备等），且单位产能的设备资本密度呈指数级上升。台积电的扩产不是"多建几座厂"，而是"用更贵的设备建更先进的厂"——这对设备厂商的单价和利润率都是双重利好。
2.2 DRAM：HBM4迁移——AI算力的"内存瓶颈"倒逼（货币单位：亿美元）
年份
新版WFE预测
新版增速
旧版增速
2026
480
50%
45%
2027
720
50%
45%
2028
970
35%
10%
核心驱动力：HBM4（高带宽存储第四代）迁移

  • 三星电子2026-2028年平均DRAM资本开支预测上调22%
  • SK Hynix平均DRAM资本开支预测上调19%
  • 2028年增速从10%跳升至35%，是本次预测调整中最激进的修正之一

深层逻辑： HBM是AI训练/推理的"刚需"——GPU的算力增长远超传统DRAM的带宽供给能力，HBM通过3D堆叠技术突破内存墙。HBM4的迁移意味着：

  1. 全新产线投资：HBM4需要更先进的封装设备（TSV、混合键合等）
  2. 产能结构性转移：传统DRAM产能向HBM倾斜，普通DRAM供给受限
  3. 投入产出比恶化：HBM的晶圆消耗量是普通DRAM的2-3倍，相同位元产出需要更多WFE

关键判断： 尽管支出大幅增加，但DRAM供给将持续偏紧，产能约束状态预计延续至2028年。这意味着DRAM设备投资不是"过剩投资"，而是"追赶需求"——设备厂商的订单确定性极高。
2.3 NAND：升级改造为主——"克制"中的结构性机会（货币单位：亿美元）
年份
新版WFE预测
调整方向
2026
110
基本持平
2027
150
下调（原170亿）
2028
220
上调（原200亿）
深层逻辑： NAND与DRAM/代工形成鲜明对比——近期增量支出以"升级改造"为主，而非大规模新增产能。这一策略将支撑供给维持偏紧格局至2027年。
投资含义： NAND设备支出的"克制"反映出AI对存储的拉动主要集中在DRAM/HBM，NAND更多受益于通用数据中心的温和增长。2028年的加速则暗示更长周期的产能扩张预期，但短期不是设备投资的"主战场"。
2.4 Logic/Other：Terafab项目——"跨界巨头"打开增量空间（货币单位：亿美元）
年份
新版WFE预测
较旧版调整
2026
340
—
2027
470
上调34%（原350亿）
2028
530
上调43%（原370亿）
双轮驱动：

  1. 英特尔需求好于预期：IDM 2.0战略下，英特尔代工业务的资本开支上修
  2. 尾端制程及模拟芯片市场复苏：汽车、工业等下游需求回暖
  3. Terafab项目：SpaceX与特斯拉已就初始阶段合计承诺约168亿美元投入

Terafab的战略意义： 这是本次报告中最具"颠覆性"的增量因素。SpaceX（星链、卫星通信）和特斯拉（自动驾驶、Dojo超算）并非传统半导体大厂，它们的巨额投入意味着：

  • 半导体需求边界正在扩张：AI不再局限于数据中心，正在向航天、汽车、边缘计算渗透
  • 非传统玩家成为设备投资新力量：类似当年亚马逊AWS自建数据中心改变服务器市场
  • 168亿美元只是"初始阶段"：若项目顺利，后续追加投资的想象空间巨大

报告核心逻辑总结：五大结构性判断
判断一：AI驱动的"技术强制升级"取代"周期波动"
传统半导体资本开支周期由"供需错配"驱动，呈现明显的库存周期特征。但本轮周期的核心驱动力是AI算力需求——这不是可延迟的"可选投资"，而是不可回避的"强制升级"：

  • HBM4迁移是AI GPU的物理刚需
  • N2制程是性能竞争的战略刚需
  • Terafab是垂直整合的商业刚需

这意味着本轮周期的"需求刚性"远超以往，设备投资不是"可投可不投"，而是"必须投、且必须投最先进的"。
判断二：2027-2028年不是"周期尾声"，而是"第二轮加速"
市场此前普遍担忧2026年高基数后，2027-2028年增速将大幅回落。但高盛将2027年增速从32%上调至45%，2028年从12%上调至29%，彻底打破了"2026年见顶"的共识。
逻辑支撑：

  • 先进制程（N2）的量产爬坡集中在2027-2028年
  • HBM4的大规模量产同样集中在2027-2028年
  • Terafab等增量项目的资本开支释放周期较长

判断三：供给约束是设备投资的"安全垫"
报告反复强调"供给偏紧延续至2028年"（DRAM）和"供给偏紧延续至2027年"（NAND）。这意味着：

  • 设备投资增加≠产能过剩
  • 设备厂商的订单不是"透支未来"，而是"满足真实需求"
  • 设备厂商的议价能力和订单能见度将持续处于高位

判断四：设备投资强度（Capital Intensity）结构性上升
N2制程的"设备投入强度高于预期"、HBM4的"单位位元晶圆消耗量倍增"，都指向同一个趋势：单位产能所需的设备投资正在上升。这对设备厂商意味着：

  • 相同市场规模下，设备厂商的收入份额提升
  • 高价值设备（EUV、先进封装、量测）的占比提升
  • 设备厂商的毛利率和ROE有上行空间

判断五：地缘政治风险被"需求刚性"部分对冲
尽管美国对华技术管制持续收紧，但本轮WFE预测上调主要基于美国本土、韩国、中国台湾的扩产计划（台积电、三星、SK Hynix、英特尔、Terafab）。这意味着：

  • 设备厂商的订单来源高度集中于"非受限区域"
  • 出口管制对整体WFE预测的冲击被"西方阵营内部需求爆发"所对冲
  • 但需警惕：若管制升级影响设备厂商的零部件供应链（如ASML的EUV光源、日本/荷兰零部件），则预测存在下行风险
07

美光宣布670亿元重大布局
8月20日，美光科技官方发布公告，宣布成立美光研究实验室（Micron Research Labs），计划未来十年投入100亿美元（约合人民币672.19亿元），在美国打造面向AI时代的长期创新研发枢纽。实验室选址美光总部所在地爱达荷州博伊西，也是美国首个专门聚焦存储方向的大型研发机构。
该实验室将主攻关键存储技术、先进存算架构、芯片封装、下一代半导体制造等前沿方向，研究范围超越当前产品技术路线，布局远期技术攻关。Ru5esmc
项目主体建筑预计2027年动工，建成后可容纳数百名研究人员，还将承办国际学术会议与产业创新论坛。除博伊西主园区之外，投资还将覆盖高校科研合作、全球卫星实验室建设，联动学术界、政府、初创企业及产业链伙伴搭建开放式协同研发网络，同时对接美光分布于欧美、亚洲各地的研发资源。
值得注意的是，这100亿美元属于新增专项研发投入，独立于美光此前公布的在美国超2500亿美元制造与研发投资规划。此前的大规模投资主要投向晶圆制造产能建设，而本次资金聚焦上游基础前沿研究，两者形成互补，相关本土投资预计将创造9万余个美国就业岗位。
美光CEO桑杰·梅赫罗特拉表示，AI时代的竞争取决于底层存储技术实力，美国AI产业发展需要本土存储技术作为支撑。英伟达、苹果、应用材料、IMEC、斯坦福大学等企业与科研机构均对该项目公开表态支持。
08

美国考虑放行苹果采购中国存储芯片，但仅限中国市场
8月24日，据多家外媒援引知情人士消息，美国政府正考虑批准苹果公司采购中国存储厂商的产品，以缓解其当前面临的存储器供应压力。苹果已在测试两家中国存储厂商提供的DRAM和NAND芯片，若后续获准进入供应链，相关产品预计将主要应用于在中国市场销售的苹果设备。
这一消息与此前美国政府的强硬立场形成鲜明对比。今年6月，苹果CEO蒂姆·库克亲自游说特朗普政府，希望获准采购长鑫存储的DRAM芯片，并与美国财政部长斯科特·贝森特等多名官员沟通。
然而，美国商务部长霍华德·卢特尼克8月15日公开表态"完全不赞成"苹果采购中国存储芯片，并"直白告知"苹果管理层。美国多名参议员也联名致函库克，要求苹果在8月21日前明确承诺不向长鑫存储和长江存储采购芯片，声称此举构成"国家安全风险"。
值得注意的是，签署联名信的议员多来自纽约州、印第安纳州和爱达荷州——而存储巨头美光科技和韩国SK海力士正在这些州投资数十亿美元扩大产能。
从"明确反对"到"考虑放行"，政策风向的微妙转变，反映出美国政府在存储芯片供应危机与对华技术限制之间的艰难权衡。
苹果寻求中国存储芯片的背后，是前所未有的成本压力。库克在2026财年第三财季业绩会上将当前的内存价格环境形容为"百年一遇的洪水"，称价格出现了指数级上涨。
随着HBM、服务器DRAM需求爆发，三星、SK海力士、美光将七成以上先进产能转向高毛利AI存储，消费级DRAM与NAND供给被大幅挤压
苹果产品中大量采用的12GB LPDDR5X内存颗粒价格，较2026年第一季度已大涨89%。存储芯片在消费电子产品成本结构中的占比已从10%至15%上升至30%至40%。苹果已因此被迫上调MacBook、iPad等多款产品售价，部分产品涨幅近20%，公司市值单日蒸发2630亿美元。
长期以来，苹果DRAM全部采购自三星、SK海力士、美光三家企业，供应链高度集中，在涨价周期完全丧失议价权。美国银行研报指出，苹果布局长鑫存储的核心诉求是管控供应风险，属于"不得不为"的战略布局。
苹果测试的两家中国存储厂商各有侧重。长鑫存储总部位于合肥，主攻DRAM内存芯片，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5X，2026年下半年计划量产15nm工艺，LPDDR5X速率可达10667Mbps。长江存储总部位于武汉，主攻3D NAND闪存，Xtacking架构已推进至232层以上，是国内唯一实现3D NAND完整产业链的IDM厂商。
然而，产能成为最大瓶颈。据行业消息，长鑫存储的产能正优先保障国内客户，与腾讯、阿里云、字节跳动、小米等本土头部企业签署了长期供货协议。2026年第一季度，长鑫在全球DRAM市场的份额已达7.7%，国内安卓品牌手机（不含华为）中长鑫内存采用比例已突破30%。这意味着留给苹果的产能余量极为有限且排位靠后。
更关键的是，长鑫存储与长江存储均已被美国国防部列入"中国军事企业清单"，并已获跨部门委员会批准列入美国商务部的实体清单。根据规定，美国公司未经许可不得向清单上的企业运送商品、软件和技术，且许可申请通常难以获批。
知情人士透露，若获批，苹果采购的中国存储芯片将严格限定于在中国市场销售的设备。这一安排既能在一定程度上缓解苹果的供应压力，又能将地缘政治风险控制在最小范围。
这并非苹果首次尝试引入中国存储。2022年，苹果曾计划采购长江存储的NAND闪存用于iPhone 14国行机型，但因美国国会施压，长江存储被列入实体清单，合作被迫搁置。当时苹果强调，采购长江存储芯片是出于成本考虑，产品暂时只会在中国销售，并称存储在该公司使用的闪存芯片上的所有用户数据都已被"完全加密"。
对于长鑫存储和长江存储而言，若苹果订单落地，哪怕仅限于中国市场，对两家公司的产能消化与市场估值都是重磅背书。长鑫科技已于7月27日登陆科创板，市值突破4万亿元；长江存储控股也在湖北证监局办理辅导备案，国产"存储双雄"几乎同步走向资本市场。
但挑战同样存在。美国政府的"考虑放行"并非最终批准，政策不确定性极高。卢特尼克明确表示，供应短缺"必须通过其他方式解决，而不是让美国顶尖企业使用中国大陆生产的内存"。
此外，苹果此前试图与长鑫存储商谈更低的采购价格，但遭到拒绝。长鑫坚持报价不低于三星和SK海力士，甚至更高。大型科技公司此前常利用"若诉求未获满足便转而采购中国制造产品"作为谈判筹码，而这一途径如今实际上已被切断。
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SEMI报告：2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
AI需求推动全球硅晶圆出货量增长，工业和汽车市场显现复苏迹象。
美国加州时间2026年7月29日，SEMI旗下Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅片行业季度分析报告显示，2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。
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历史上四轮硅片涨价大周期
第一轮：1993‑1995年（8英寸时代第一次牛市）

  • 背景：PC电脑普及浪潮
  • 主力尺寸：6英寸、8英寸起步
  • 涨价原因：个人电脑爆发，DRAM内存需求暴涨；硅片产能跟不上
  • 结局：后期大厂扩产过猛，1996‑1997产能过剩，价格大跌，进入下行周期。

第二轮：2003‑2004年

  • 时代：宽带互联网、早期手机
  • 主力尺寸：8英寸成为主流，12英寸刚刚开始建厂
  • 涨价动力：功能手机、电脑需求回暖；全球晶圆厂扩产，争抢8寸硅片
  • 很快在2005‑2006年产能释放，行情回落。

第三轮：2016‑2018年，一轮最长的超级牛市
这是大家印象最深、8寸+12寸同步大涨的一轮，和现在2026‑2028行情最相似

  • 时代：智能手机顶峰 + 新能源车萌芽、挖矿芯片、功率器件
  • 主力尺寸：12英寸（手机SoC、存储）+8英寸（电源、MOSFET、模拟芯片）同时紧缺
  • 驱动：

1.手机内存DRAM/NAND‑Flash大涨价，三星、美光疯狂扩产12寸；
2.8英寸老产线多年没人新建，产能卡死，功率芯片缺货；
3.信越、SUMCO、环球晶长协锁价，硅片价格连续两年大幅上调。

  • 拐点：2018下半年，手机需求见顶，库存过高，硅片价格断崖下跌，进入漫长熊市（2019‑2020）。

第四轮：2021‑2022，后疫情缺芯牛市

  • 时代：新冠疫情，居家经济、汽车芯片大缺货
  • 主力：8英寸涨价最猛，12英寸温和上涨
  • 特点：不是算力大爆发，而是供应链中断、物流堵、工厂停工造成短期结构性缺货；

AI还不是主角。2022年下半年开始消费电子库存崩盘，硅片行情快速降温，2023‑2025进入下行低谷。
第五轮：当前 2026‑2028，AI驱动新一轮上涨

  • 时代：人工智能算力周期
  • 特点：12英寸由AI/GPU/HBM拉动；8英寸被AI配套电源芯片、新能源车拉动，双尺寸齐涨。

规律对比（历史对照）
1.8寸、12寸同时涨价 →上一次就是 2016‑2018，属于全行业全面景气，不是单一行业小行情。本轮和那一轮结构最相似，但增长引擎从手机换成AI。
2.只有12寸涨、8寸不动 → 一般是存储芯片单独牛市，行情范围窄。
3.只有8寸涨，12寸不动 → 大多是汽车、功率器件结构性缺货，属于局部行情。
☆ END ☆