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求是缘半导体周要闻－莫大康(2026.4.20)
来源: | 作者:芯缘 | 发布时间: 2026-04-20 | 325 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:

全球半导体业真要变天啦


半导体业周期性的供需关系悄然改变 , 现在已经不是周期性缺货，而是结构性超级短缺周期

  • 它的供求短缺关系会从 GPU → 存储 → CPU → 互联 / 电源 / 模拟 → 车规 / 工控 → 设备材料 一路传导下去
  • 大概率 2026 – 2028 持续紧张， 2028 年后才可能逐步缓解
  • 格局：高端 AI 芯片长期紧俏，低端芯片长期供给收缩、涨价常态化

一、现在已经缺到什么程度（2026 现状）

  • GPU/AI 芯片：英伟达、 AMD 订单排到 1.5 年后，先进产能被 AI 巨头锁单
  • Memory （存储）：

-DRAM ： 2026 年 Q1 涨幅约 90% ， HBM 更缺、价格翻几倍
-NAND Flash ： Q1 涨幅 55% – 60%

  • 库存： SK 海力士等仅 4 周（健康 8 – 12 周）
  • CPU ：

-云厂商 /AI 服务器抢 x86 、 Arm 服务器 CPU
-先进产能被 GPU 、 HBM 挤占， CPU 交期拉长
二、接下来最可能“接力紧缺”的几类芯片/环节
按优先级和时间线：

  1. 先进互联与接口芯片（马上就会更缺）
  • SerDes/ 高速接口（ PCIe 5.0/6.0 、 USB4 、 CXL 、 1.6T/3.2T 光模块芯片）
  • AI 服务器、超算、数据中心带宽暴增，这类芯片是“算力高速公路”
  • 工艺要求高（ 7nm/5nm ）、设计门槛高、厂商少，产能被 AI 芯片挤压

2. 电源管理 / 模拟芯片（ 2026 下半年– 2027 ）

  • 大电流 PMIC 、多相电源、 GaN/SiC 功率器件
  • AI 芯片 /GPU/HBM 功耗极高（单卡上千瓦），电源芯片需求指数级涨
  • 模拟 / 功率扩产慢、依赖成熟制程（ 40nm/28nm ），成熟制程也被 AI 抢产能

3. 高端 EDA/IP 、 Chiplet 小芯片（ 2026 年底– 2027 ）

  • Chiplet 互连芯片（ UCIe 、长距 SerDes 、中介层）
  • 先进芯片都在做 Chiplet ，小芯片需求暴增
  • 设计 / 制造 / 封测都卡脖子，先进封装产能严重不足

4. 汽车 / 工控高可靠芯片（ 2027 – 2028 ）

  • 车规 MCU 、功率 IGBT/SiC 、传感器、车规级存储
  • 电动车 + 智能驾驶芯片用量翻倍
  • 车规认证周期长（ 2 – 3 年），成熟制程被消费 /AI 抢，车规更难拿到产能

5. 半导体设备 / 材料 / 零部件（已经在缺，持续多年）

  • EUV/DUV 光刻、刻蚀、薄膜、量测设备
  • 高纯度电子特气、光刻胶、 CMP 耗材、硅片、特种气体
  • 设备交期 2 – 4 年，材料被日荷韩垄断
  • 这是所有芯片产能的天花板，设备不扩，芯片永远缺

6. 消费电子“低端”芯片（长期结构性短缺）

  • DDR4 、 eMMC 、中低容量 NAND 、中低端 MCU 、传感器
  • 大厂主动砍低毛利产能，转去做 HBM 、高端 DDR5 、 AI 芯片
  • 消费电子看似需求平稳，但供给被永久性压缩，长期缺货 + 涨价

3D DRAM 行业确实存在两种主流定义/技术路线


一种是 HBM 高带宽内存，另一种是单片或晶圆级 3D DRAM （ Monolithic 3D DRAM ）。
两者核心差异： HBM 是“封装级堆叠”，另一种是“存储单元结构级的垂直“
一、HBM 路线（封装堆叠 3D DRAM）：已量产、高速迭代
现状：完全成熟， AI 标配， HBM4 刚进入大规模交付

  • 三星： 2026 年 2 月 全球率先量产 HBM4 （ 12 层 36GB ， 1c 工艺）
  • SK 海力士： HBM3E 大量出货； HBM4 2025 年底量产、 2026 年 Q2 大规模交付
  • 美光： 2026Q1 量产 HBM4 （ 12 层 36GB ）， 16 层 48GB 送样

技术进程（ 2026 – 2028 ）

  • 层数：主流 12 层； 16 层 2026 下半年– 2027 量产
  • 速度： HBM4 10~13Gbps/pin ，带宽 ~2.4TB/s
  • 封装：从 TSV+ 微凸点 → 向 混合键合（ Hybrid Bonding ） 升级
  • 定位： AI/GPU/ 超算 刚需， 2026 年占 DRAM 市场近 40%

一句话： HBM 是 现在进行时 ，已经在赚钱、在大规模装机。
二、单片 3D DRAM （VCT/VCAT/ 真正 3D DRAM）：实验室→样品，远未商用
定义：单元垂直立体堆叠（像 3D NAND ），单芯片内多层阵列
现状（ 2026 ）：

  • 只有样品 / 原型，无任何量产产品
  • 三星 VCT DRAM ：

已做出 4F ² 10nm 级原型
计划： 2027 年 VCT 样片； 2030 年 3D DRAM 量产

  • SK 海力士 / 美光：

基础研究 + 原型阶段
规划： 2030 年前后 才可能商用

  • 核心难点：

垂直晶体管 / 电容漏电、材料（氧化物通道）、工艺极难
不像 3D NAND 容易堆叠层数
单片 3D DRAM 是 未来时 ，至少 4 – 5 年后才会真正落地。

2026年中国人形机器人市场产量将年增94%


2026 下半年全球人形机器人产业将进入商业化的关键期。其中，中国厂商锁定的商用化目标与场景逐渐明确，并积极提升产量，预估将激励2026全年中国人形机器人市场产量年增高达94%。宇树科技、智元机器人凭借盈利能力与量产进度，在激烈竞争中脱颖而出，预估两者合计将囊括近80%的出货占比。
TrendForce 集邦咨询表示，过去多数人形机器人厂商专注在感知、动态平衡与语意理解等底层能力的累积，至2026下半年焦点将转向提供给用户的真实价值。观察全球最大的中国市场，产业以多元商用发展为主轴，正呈现产品应用收敛、通用机器人的大型语言模型(LLM)深度整合，以及投资热潮延续等趋势。

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传闪迪开建HBF产线抢跑AI存储新赛道


据韩媒Etnews及多家行业媒体最新报道，存储巨头闪迪（SanDisk）已正式按下“加速键”，开始建立高带宽闪存（HBF）的样品生产线。这一存储技术旨在填补HBM与SSD之间的性能鸿沟，为AI推理时代提供全新的存储解决方案。
消息指出，闪迪目前正在紧锣密鼓地与材料、零部件及设备供应商接洽，构建HBF原型生产线的生态系统。据某材料行业高层人士透露，闪迪的目标是在今年下半年引入关键设备，部分企业甚至已经开始讨论采购订单（PO）。
业界普遍预测，闪迪的试点生产线将于2026年下半年建成，并在年底前投入运营，力争在2027年实现HBF产品的正式商业化。另有消息人士向The Bell透露，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将比此前公布的路线图提前约六个月完成开发目标。
作为NAND闪存领域的头部厂商，闪迪此次加速布局HBF，被视为其在AI存储市场的一次关键突围。由于目前产品组合中缺乏基于DRAM的高带宽内存（HBM），闪迪正全力以赴通过HBF这一差异化技术，在AI存储这一新兴蓝海中抢占先机。
HBF （High Bandwidth Flash）并非简单的闪存升级，而是一种架构层面的创新。其核心结构与目前火热的HBM（高带宽内存）类似，但关键区别在于堆叠介质：HBM堆叠的是DRAM，而HBF堆叠的是NAND闪存。
“HBM好比书房，容量虽小但取用极其方便（低延迟）；而HBF则好比图书馆，虽然距离稍远（延迟略高），但藏书量巨大（大容量）。”
——“HBM之父”、韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩
在AI大模型参数呈指数级增长的今天，仅靠昂贵的HBM已难以满足海量数据的读取需求，而传统的SSD速度又太慢。HBF正是为了解决这一痛点而生。它通过借鉴HBM成熟的3D堆叠和硅通孔（TSV）技术，将NAND闪存的带宽提升至接近HBM的水平，同时保留了NAND低成本、大容量和非易失性（断电保存数据）的优势。
在推进HBF商业化上，闪迪已拉拢了SK海力士。今年2月，SK海力士与闪迪联合宣布在开放计算项目（OCP）框架下成立专属工作组，正式启动HBF全球标准化进程。SK海力士作为HBM领域的霸主，拥有顶尖的堆叠封装技术；而闪迪则是HBF概念的提出者和商业化先行者。两者的强强联合，意在通过制定行业标准，加速HBF生态的成熟。
与此同时，三星电子也已加入这一阵营，计划独立开发HBF产品。随着三大存储巨头的集体入局，HBF有望成为继HBM之后，AI硬件领域的下一个爆发点。
根据规划，2026年下半年闪迪推出HBF原型产品，试点产线建成；2027年初搭载HBF的AI推理设备预计出样；2027年底至2028年初：HBF技术有望集成至英伟达、AMD及谷歌的相关产品中。

当高盛CEO警示AI模壁Mythos的能力超越人类时给我们的启示


一、Mythos 模型是什么
是 AI 公司 Anthropic（Claude开发者）2026年4月发布的最强模型，定位在 Claude Opus 之上。
核心能力：

  • 自主发现、利用软件漏洞（零日漏洞），能力超过绝大多数人类安全专家
  • 能挖出潜伏十几年、人类/传统工具没发现的漏洞
  • 可自主串联漏洞链，拿到系统最高权限
  • 速度极快、成本极低

二、高盛CEO警示的核心风险（AI超人类能力）

  1. 网络安全灾难级威胁
  • 黑客/攻击者门槛消失：普通人也能用它快速造攻击、入侵系统
  • 修补速度完全跟不上：AI 几分钟找到漏洞，人类补丁要几周
  • 金融、基础设施、政府、军队系统全面暴露

2. 系统性金融风险

  • 银行、支付、交易系统可被快速攻破
  • 大规模欺诈、数据泄露、资金盗窃变得极易实施
  • 华尔街与美国财政部将其定性为“系统性金融风险”

3. 国家安全与公共安全危机

  • 关键基础设施（电网、通信、交通、军工）脆弱
  • 间谍、破坏、网络战成本大幅下降
  • AI 可自主越界、主动展示攻击能力，难以完全控制

4. 技术失控与自主进化风险

  • 能自主优化代码、自我迭代，智力可能指数级增长
  • 人类很快跟不上其进化速度，走向超级智能（ASI）门槛

三、为什么高盛特别紧张

  • 高盛已在内部使用 Mythos
  • 金融行业是网络攻击头号目标
  • 一旦被滥用，全球金融体系稳定性受威胁

简单说：AI 漏洞能力超人类 → 网络攻防彻底失衡 → 数字世界与现实世界的安全基础被颠覆。

半导体封装已从芯片封测升级为系统级竞争SiPChiplet/2.5D/3D异构集成


一、当前核心挑战（系统级竞争下）

  • 技术代差：高端 2.5D/3D （ CoWoS 、 Foveros 、 SoIC ）、混合键合、 HBM 封装被台积电、日月光、英特尔垄断。
  • 设备 / 材料卡脖子：高精度键合机、植球机、检测设备依赖进口； ABF 载板、高端光刻胶、封装基板国产化率 <10% 。
  • 生态割裂：设计—制造—封测—材料—设备协同弱， Chiplet 互连标准（ UCIe ）话语权不足 。
  • 专利壁垒：先进封装核心专利（ TSV 、微凸点、混合键合）被海外锁死，容易被制裁。

二、中国应对：分阶段技术路线（务实可行）

  1. 短期（ 1 – 3 年）：补短板、稳替代
  • 主攻 2.5D 国产化（ CoWoS 类） - 突破硅中介层、微凸点、 Bumping 、 TSV 核心工艺。
  • 长电 XDFOI 、通富 2.5D 产线扩产，服务国产 AI/GPU/CPU 。
  • Chiplet 异构 SiP 规模化 - 基于成熟制程（ 14 – 28nm ）做芯粒组合，用封装提升系统性能 。
  • 优先在服务器、基站、汽车电子落地国产 SiP 。
  • 设备 / 材料“急用先立” - 大基金重点投：清洗、电镀、键合、划片机、国产载板 / 塑封料。
  • 推行“首台套 / 首批次”补贴，加速国产验证。

2. 中期（ 3 – 5 年）：追先进、建壁垒

  • 布局 3D IC + 混合键合 - 铜铜混合键合、芯片—晶圆（ C2W ）、超薄晶圆堆叠。
  • HBM 、高算力 SOC 、 3D NAND 做自主方案。
  • 面板级扇出（ FOPLP ） / 玻璃基板弯道超车 - 依托京东方 /TCL 面板优势，发展 CoPoS 、玻璃中介层，降低成本、提升尺寸。
  • 标准与专利突围 - 主导 UCIe 中国适配、 Chiplet 国产互连标准 。
  • 交叉授权 + 自主专利布局，规避诉讼。

3. 长期（ 5 年 + ）：系统级创新、生态主导

  • Chiplet + 3D + 先进基板融合 - 构建“芯粒库—互连协议—封装平台—测试方案”全栈自主。
  • 智能封装、异质集成（ MEMS+ 射频 + 光 + 电） - 面向 6G 、汽车、量子、医疗做专用系统级封装

近期英特尔股价持续上涨启示


股价上涨的核心逻辑

  • 基本盘稳固： x86 架构 CPU 是服务器与 PC 的绝对核心，长期技术积累与生态壁垒难以撼动，需求刚性强。
  • AI 与算力红利：与 NVIDIA 、 Google 等 AI 巨头深度合作， Xeon 处理器成为 AI 基础设施核心，搭上 AI 算力快车 。
  • 战略转型见效：推进 IDM 2.0 战略，先进制程（如 18A 工艺）与先进封装技术（ EMIB-T ）良率提升，成本优化见成效 。
  • 资本与政策护航：获美国 CHIPS 法案战略入股、 NVIDIA 等头部资本注资，现金流与抗风险能力显著增强。
  • 地缘战略价值：美国本土制造产能为科技巨头与政府所倚重，供应链安全溢价提升估值。

对行业与市场的信号
这轮上涨不只是“股价修复”，更是市场对英特尔核心资产重估：它既是传统 CPU 霸主，也在 AI 算力、芯片代工、先进封装等新赛道重塑竞争力，印证了成熟芯片巨头在技术壁垒与生态粘性上的长期价值。

日月光六厂齐发，三星、安靠加码半导体封测，产能争夺战打响


封测大厂日月光启动史上最大规模建厂计划，预计今年全球有六座新厂同步动工；三星电子计划在越南投资40亿美元建设封测厂，安靠（Amkor）同步加快越南产能扩张。一系列密集动作表明，随着AI、高性能计算、汽车电子等需求爆发，半导体后道工序正成为巨头争相布局的战略高地。
2026 年4月10日，日月光投控在高雄仁武产业园区举行新厂动工典礼。该厂总投资额超过新台币1083亿元，聚焦高端半导体测试服务，涵盖AI、高性能计算、5G通信及车用电子等领域，计划于2027年4月启用第一期厂房，同年10月投入运营第二期，预计年产值可达新台币1773亿元。
这仅仅是日月光全球扩产计划的冰山一角，据日月光营运长吴田玉透露，2026年是公司建厂规模最大的一年，全球预计有六座新厂同步动工，创下历史新高。除高雄仁武厂外，其他扩产项目涉及美国、马来西亚、日本、德国等地，以应对AI驱动的半导体需求增长。在资本支出方面，日月光原定2026年资本支出为70亿美元，但因市场需求强劲，公司表示有上调空间，具体幅度将在本季法说会上公布。
在技术布局上，日月光同样步伐紧凑。吴田玉透露，共同封装光学元件（CPO）技术将于2026年开始量产。不过他同时强调，CPO是需要10-20年深耕的长远技术，其经济效益和市场渗透率需时间发酵。此外，为满足大规模扩产需求，日月光已启动新一轮人才招募计划：2026年计划招募3000名技术人员，2027年再追加1000名，以支持技术研发和产能提升。总体来看，日月光正以建厂、资本、技术、人才“四轮驱动”的方式，加速巩固其在全球封测市场的领先地位。
据彭博社4月10日报道，三星电子计划在越南北部太原省投资40亿美元建造一座半导体封测厂，首期投入20亿美元。这将是三星自2008年进入越南以来在该领域的最大单笔投资。越南财政部已确认正与三星就半导体投资合作展开磋商。新厂选址紧邻三星现有智能手机生产基地，旨在利用当地成熟的供应链与基础设施，满足全球数据中心及AI设备对芯片日益增长的封装测试需求。
业界认为，三星此举与台积电、英特尔等在先进封装技术上的投入形成呼应，进一步巩固其在半导体产业链中的地位。而越南凭借劳动力成本、地理区位及已有产业基础，正成为封测产能转移的关键承接地。
与此同时，半导体封测大厂安靠（Amkor）也在加速扩建越南生产线。自2021年以来，安靠已累计投资16亿美元，在越南北宁省Yen Phong 2C工业园建设先进封装设施。这是Amkor全球规模最大的先进封装基地，主要面向先进系统级封装（SiP）和HBM内存集成，提供从设计到电气测试的交钥匙解决方案。
根据安靠2026年2月发布的财报，该公司计划全年资本支出25-30亿美元，重点投向先进封装产能扩张，其中明确包含越南业务扩展，目标市场覆盖高性能计算、AI、汽车电子、物联网和移动通信。
据悉，越南被安靠定位为“未来十年增长引擎”，旨在分散供应链风险，安靠越南工厂采用模块化生产布局，预留25%产能弹性空间，可快速调整设备配置以响应政策变化。
半导体封测是芯片制造的后道工序，包含封装和测试两个环节。封装将晶圆切割后的裸芯片通过划片、装片、引线键合或倒装焊、塑封等工艺进行保护，构建外部电气连接通道，为芯片提供物理防护、电气互连、热管理及标准化接口。测试则分为晶圆级测试（CP）和成品测试（FT），通过专业设备筛选出有结构缺陷或性能不达标的芯片，确保交付产品的质量和可靠性。
随着摩尔定律放缓，先进封装已成为提升芯片性能的关键路径，而测试环节在高复杂度芯片中的价值占比也不断攀升。2026年以来，全球多家企业宣布新建或扩建封测厂，以下为不完全盘点
AI 时代对芯片性能、功耗和集成度的极致追求，将封测从幕后推向台前。从中国台湾到越南，从北美到东亚，半导体封测领域的全球产能竞赛已然进入快车道。展望未来，随着AI芯片需求持续放量、先进封装技术不断突破，半导体封测环节在整个产业链中的战略价值还将有望进一步攀升，新一轮产能与技术竞赛才刚刚拉开帷幕

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长电科技2025年报解读营收创新高利润承压背后的战略“深蹲”


近日，中国大陆排名第一的封测企业长电科技发布 2025 年年报。总体来看，长电科技这一期业绩表现呈现“规模突破、结构优化、短期承压”的鲜明特征。全年公司交出了营收创历史新高、先进封装业务跨越式增长的亮眼答卷，同时也面临战略转型期增收不增利的阶段性阵痛。整体上，公司高端化转型的核心逻辑持续兑现，长期成长的根基不断夯实，短期利润波动并未改变企业高质量发展的主线。
营收创新高，先进封装成核心支柱
2025 年，长电科技实现营业收入 388.7 亿元，同比增长 8.1% ，创下历史新高。其中，先进封装业务相关收入达 270 亿元，同样刷新纪录，占总营收比重达到 69.5% ，成为公司营收与盈利的“压舱石”。这一结构性变化表明，公司已实质性完成向先进封装的战略转型，高附加值业务成为增长的第一曲线。先进封装业务，不仅推动公司在全球产业竞争中完成高附加值领域的技术卡位，更推动公司核心竞争力实现质的飞跃。
从下游应用端结构看，公司持续向高景气、高成长领域优化，多元赛道多点开花。 2025 年，公司运算电子领域营收同比增长 42.6% ，成为增长最快的板块，表明长电科技已成功切入 AI 芯片、 HPC 芯片、存储等半导体行业增长最快的赛道。汽车电子、工业及医疗电子也分别增长 31.7% 和 40.6% ，三大高景气赛道共同构成公司业绩增长的核心引擎。
战略转型期的短期阵痛
然而，亮眼的营收数据背后，是利润端的承压。 2025 年，公司归母净利润为 15.65 亿元，同比下降 2.75% 。集微网分析其年报数据认为，这并非意味着公司基本面出现问题，恰恰相反，这本质上是战略转型期必然经历的阵痛，是“起跳前的深蹲”，而非核心经营能力的下滑。
利润短期承压，核心源于三大面向未来的战略性投入。
第一，新产能爬坡期的短期压力。公司面向未来的两大战略项目——江阴长电微电子（晶圆级微系统集成）和上海临港汽车电子项目， 2025 年处于产能释放初期和建设期。作为公司面向高端智能化应用与车规级市场的战略支点，这些项目聚焦多维异构集成、 Chiplet 、车规级封测等先进封装，短期内需承担大量折旧摊销、财务费用及市场竞争压力，直接拖累了当期利润，但其长期价值并未改变。
第二，持续高强度研发投入。 2025 年，公司研发投入达 20.86 亿元，同比增长 21.37% ，研发占营收比例提升至 5.37% 。拉长周期看，公司研发投入从 2021 年的 11.9 亿元增长至 2025 年的 20.9 亿元，年复合增长率约 15.1% 。持续高强度的研发投入为公司长期领先奠定了基础，但也在短期内带来成本压力。
第三，资本开支大幅扩张。 2025 年公司资本开支计划高达 85 亿元，同比增长近 40% ，重点投向先进封装产能建设，为后续承接 AI 、汽车电子等领域的需求做好了产能储备。这种“以短期投入换长期空间”的选择，是头部企业在产业变革期的必然路径。
更值得关注的是盈利质量的逐季改善。 2025 年，公司归母净利润从一季度的 2.03 亿元提升至四季度的 6.11 亿元，单季盈利持续递增。这一趋势反映出高附加值业务占比提升、高端产能逐步释放，已开始转化为业绩增量。随着高景气赛道订单放量，利润压力正在缓释。
蓄力起跳，产能释放打开增量空间
Yole 数据显示， 2025 年全球先进封装市场规模约 531 亿美元，预计到 2030 年有望达 794 亿美元，年复合增长率约 8.4% ；其中， AI 、 HPC 及数据中心等应用成为增速最快的细分领域，年复合增长率接近 15% ，仍将是未来封测行业最具战略价值的核心增长赛道。
技术与产能的双重布局，构成了长电科技长期成长的核心支撑。技术层面，长电科技已构建起覆盖 2.5D/3D 封装、 Fan-out 封装、 Chiplet 异构集成、系统级封装等全栈式先进封装技术体系，核心技术均实现量产落地，在光电合封（ CPO ）、玻璃基板封装等前沿领域实现关键技术突破，形成了“量产一代、研发一代、储备一代”的良性技术迭代节奏。截至 2025 年末，公司拥有专利 3123 件，其中发明专利 2601 件，全年新增境内外专利授权 264 件，知识产权优势持续拓宽。
随着高附加值业务及高端产能逐步释放，公司盈利能力已在 2025 年内逐季改善。这一信号或许表明，利润承压最难的时期已经度过。一旦新产能跨过盈亏平衡点，叠加 AI 、汽车电子等领域需求的持续爆发，长电科技有望迎来盈利与营收的共振增长。先进封装业务收入的持续提升，将长期拉动公司整体盈利水平。
总体来看，长电科技 2025 年正在经历积极转型下的战略压力。公司在先进封装领域的技术布局、产能落地、客户结构优化均已取得实质性突破。短期利润的牺牲，换来的是在 AI 、汽车电子、 HPC 等赛道上的长期卡位。
随着江阴、临港两大项目逐步度过爬坡期，叠加全球先进封装市场持续高速增长，长电科技的先进封装能力有望进一步转化为规模化业绩增量，在 2026 年及以后进入盈利释放周期。
END
莫大康：浙江大学校友，求是缘半导体联盟顾问。亲历50年中国半导体产业发展历程的著名学者、行业评论家。