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Jiangsu Thankyou Semiconductor Co.,Ltd.

求是缘半导体周要闻-莫大康(2026.5.25)
来源: | 作者:芯缘 | 发布时间: 2026-05-25 | 194 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:

01在2026半导体设备材料及核心部件展CSEAC上看国际合作的新范式



当地缘博弈成为常态,当供应链安全成为刚需,人们一度以为“全球化”正在退潮。但站在产业一线会发现:全球化的底层结构依然牢固,“阵营化”与“本地化”正在重塑其上层建筑。要用一个词概括,那便是“再全球化”。
无论是国际设备巨头的“In China,For China”,还是中国本土厂商的“出海验证”,大家都在同一个命题下寻找答案——如何构建更具韧性、更高效、更开放的供应链。半导体设备材料及核心部件展(CSEAC),正是观察这场协同竞赛的难得窗口。
AI的尽头是算力,算力的尽头是“制造”
AI很火,HBM很热,但如果没有设备、材料和核心部件的支撑,一切都是空中楼阁。无论算法如何颠覆、架构如何创新,最终都要回到一个根本问题:如何把支撑AI的芯片造出来。
每一次算力的跨越,都离不开半导体制造最底层的支撑——更精密的设备、更高纯的材料、更可靠的部件。产业链上每个参与者的突破,最终都会汇聚成推动AI算力升级的合力,这场面向AI未来的产业竞赛,本质上就是半导体制造能力的全球协同竞赛。
在CSEAC展会上,北方华创、中微、盛美、拓荆、芯源微等国内半导体设备龙头企业,与尼康(Nikon)、德国莱宝(Leybold)、日本光驰(Optorun)、SMC、韩国纳科鑫(NEXTIN,Inc. E)、日立高新(HITACHI-High Tech)、意大利马波斯(Marposs)等国际知名厂商齐亮相,共同勾勒先进制造的未来图景。
你将看到HBM制造全链条:从深孔刻蚀(Etch)、原子层沉积(ALD)等工艺,到2.5D/3D封装中的混合键合(Hybrid Bonding)设备,直面微米级精度的极限挑战。以及“后摩尔时代的答案”:当晶体管微缩逼近物理极限,“Chiplet”与“异构集成”成为行业共识。临时键合/解键合设备、超薄晶圆处理方案、高密度封装基板……这些在CSEAC现场集中展示的纳米级精度设备,正成为通往未来算力世界的“入场券”。
从整机竞争向“毛细血管”转移
长期以来,半导体设备被称为半导体产业的基石,而构成这一基石的核心——核心零部件、材料,才是真正的命脉。2026年,行业关注的焦点正从整机向这些“毛细血管”转移。
在供应链波动成为常态的今天,本土化响应与快速迭代能力,成为竞争力的关键。全球产业链的协同也呈现新的机遇。Grossberg LLC 首席执行官大山冲在 CSEAC 2025 全球论坛上就曾指出,日本与中国在后端工艺设备领域合作空间广阔——迪斯科的晶圆切割/研磨设备、Lasertech 的光掩模检测设备等在中国市场需求旺盛,蕴含大量配套机会。这说明,产业链的深化既离不开本土核心环节的突破,也需要开放协作的持续推进。
本届展会上,你将看到众多本土化服务体系强有力的部件、材料企业——英杰电气:半导体电源产品已批量应用于刻蚀、PVD、CVD等关键制程,并配套中微公司、拓荆科技等头部设备企业;恒运昌:实现全数字化、高精度等离子体射频电源系统的量产,产品支持7-14nm制程……还有富创精密、新莱应材、富乐德等越来越多的射频电源、静电卡盘、真空阀件、陶瓷部件等核心零部件企业,开始进入国际设备厂商的二供、三供体系。
材料方面,江丰电子实现全球唯一7N级超高纯钛靶量产;飞潮新材料推出可量产的1.5nm精度气体过滤产品;中瓷电子成为国内唯一量产1.6T光模块氮化铝薄膜基板的企业;珂玛科技在陶瓷加热器领域占据国内市场龙头地位;云南贵金属新材料控股集团攻克6N级超高纯铟靶材技术,产品已进入台积电28nm产线验证阶段……面对全球氦气供应波动、高端光刻胶验证周期漫长等行业痛点,今年材料展区的众多新亮点,值得期待。
8月31日-9月2日,无锡太湖国际博览中心70000平方米的半导体设备材料及核心部件实力派大聚会,与全球1300+半导体企业相遇,拥抱浪潮,看见未来。

黄仁勋来了也没用!美方证实国内企业暂不采购英伟达H200芯片


市场层面的调整也直接影响到英伟达整体营收规划,其此前制定的年度营收预期中,已经剔除了 H200 芯片在国内市场的营收贡献。行业数据分析指出,若相关贸易正常开展,该系列芯片原本每年可带来数十亿美元市场收益,而英伟达此前在国内高端 GPU 市场占有率颇高,如今市场布局已然迎来大幅调整。除高端芯片实体产业领域的协调沟通外,双方在人工智能行业规范、行业发展准则等层面也展开了交流探讨,有意搭建常态化的行业沟通交流机制。与此同时,双方在人工智能技术研发领域的良性竞争氛围也愈发浓厚,美方近期出台多项行业规范举措,意在规范跨境 AI 技术学习与技术借鉴相关行为,防范前沿 AI 技术数据被低成本借鉴复用。如今全球人工智能领域的行业竞争,已然从高端芯片硬件层面,逐步延伸至智能算法、大模型研发等核心技术领域。即便美方完成全部审批流程,国内市场未放开准入依旧让相关贸易难以落地。美方经贸领域相关负责人表示,当下国内更倾向于把产业资金与资源倾斜至本土优质芯片企业,稳步推进国产高端芯片研发落地,不少此前敲定意向采购订单的国内企业,也陆续终止了相关合作计划。早前英伟达负责人黄仁勋临时参与相关随行行程,业内原本期待此番行程能够推动 H200 芯片对华流通事宜迎来转机,不过从目前各方释放的信息来看,这款芯片的市场流通僵局依旧未能打破。美方相关人士对外透露,在完成双边高层会晤交流后,国内市场层面暂未放开企业采购英伟达 H200 人工智能芯片的相关通道,相关表态称,国内暂缓引进这款高端芯片,核心初衷是稳步扶持本土半导体产业自主发展,夯实自研芯片产业根基。 此前美国相关部门已完成审批流程,准许阿里、腾讯、字节跳动、京东等十余家国内科技企业申请采购英伟达 H200 芯片,同时也放开了联想等合作经销企业的相关流通权限,但美方设置了诸多严苛交易限制。所有批次芯片流通前,都需经过美方指定区域完成第三方核验流程,并且英伟达每完成一笔相关交易,都需要按比例上缴相应资金至美方相关财政部门。

全球半导体TOP10Q1赚疯了


SIA最新数据显示,2026年第一季度,全球半导体销售额为2985亿美元,较2025年第四季度增长25%。仅2026年3月单月,销售额就达995亿美元,较2025年3月的555亿美元暴增79.2%,较2026年2月增长11.5%。
如果把一季度销售额平摊到每一天,相当于全球每24小时卖出价值33亿美元的芯片。如果单看3月份的增速,79.2%的同比增长已经刷新了近十年来的最高纪录。
半导体产业随着AI驱动开始爆发。最近,全球半导体前十巨头财报密集出炉,有人日进斗金,有人增长失速。
01存储巨头们,日进斗金
Q1全球存储三巨头:三星电子、SK海力士、美光科技再次交出令人震惊的财报。
对未来走势的判断,三家公司高度一致:供应短缺是结构性问题,强劲定价环境将比以往周期持续更长时间。三星已率先开始商业化出货HBM4,宣布2026年HBM销售额将同比增长3倍,并预计2027年全球内存缺口将进一步扩大。SK海力士明确表示,未来三年HBM需求将远超其自身供给能力,客户普遍将确保供应置于压价之上,代理式AI的崛起正在将存储需求从“训练”扩展到“推理”全链条。美光预计,全球HBM市场规模将从2025年的约350亿美元增长到2028年的约1000亿美元,年复合增长率约40%。摩根士丹利分析师预计,2026年的供应增长几乎无法缓解预期中的严重短缺。
从产品层面,三家公司正在加速高端存储的技术迭代。三星计划2026年Q2出样HBM4E,这是全球首家宣布这一计划的厂商;SK海力士则押注HBM4E和1c工艺LPDDR6 DRAM,宣布HBM4E已于2026年下半年进入客户送样阶段,计划2027年正式量产;美光专为英伟达下一代Vera Rubin架构设计的HBM4已实现批量出货,HBM4E研发进展顺利,预计2027年量产。
02CPU们,如日中天
2026年第一季度,CPU赛道呈现“双雄并起”的格局。英特尔与AMD这对老对手,在AI浪潮中找到了各自的增长路径。
英特尔:从低谷中反弹
英特尔交出了一份令人惊喜的成绩单。营收136亿美元,同比增长7%;净利润15亿美元,同比增长156%。这是英特尔连续第六个季度超出预期。在新任CEO陈立武的带领下,英特尔正在蒸蒸日上。财报发布后,英特尔股价盘后飙升近19%,年初至今累计上涨81%
03消费端芯片,分化加剧
今年Q1消费端芯片经历了很大的波动。苹果凭借自研芯片实现业绩翻身,而高通与联发科这对老对手却走出了分化行情。
苹果截至2026年3月28日的2026财年第二季度财报。该季度苹果营收1112亿美元,同比增长17%,净利润296亿美元,同比增长19%。其中,大中华区第二财季营收204.97亿美元,同比增长28%。
现在对于半导体的未来发展,机构们的判断比以往任何时候都更乐观。SEMI预计,2026年全球半导体设备市场规模将突破1200亿美元;IDC预测,全球AI基础设施市场规模将在2027年突破5000亿美元;德勤则指出,AI驱动的半导体需求将在未来三年内保持年均25%以上的增速。

SK集团押注玻璃基板,与台积电、群创组“封装铁三角”


在全球人工智能(AI)算力需求持续爆发的背景下,半导体先进封装技术正迎来关键变革。
近日,韩国SK集团(SK海力士的实际控制方)宣布了一项重磅投资计划,拟通过旗下材料企业SKC配股募集1.17万亿韩元(约合人民币53亿元),其中约5896亿韩元(约合人民币27亿元)将专项投入其美国子公司Absolix,用于未来三年半导体封装用玻璃基板的量产计划。
这不仅仅是一张“玻璃板”,而是对面板级封装(Panel-Level Packaging, PLP)/玻璃载板路线的一次重押注:一旦规模化落地,它将改变高端AI芯片在“晶圆级2.5D/3D”之外的新增产能路径与成本结构。
此次SK集团重资押注的玻璃基板,是当前先进封装领域最热门的技术方向。与传统有机基板或硅基板相比,玻璃基板具备低介电常数、高耐热性、高平整度等显著优势。
其核心技术逻辑在于“以方代圆”的面板级封装(Panel-Level Packaging)。传统半导体制造多使用圆形晶圆,边缘存在大量材料浪费;而面板级封装将基板转换为方形玻璃,不仅能大幅减少边角损耗,还能在同等面积内封装更多的硅芯片。
数据显示,玻璃基板能将连接密度提升约10倍,并有效降低能耗,为芯片间的光互联奠定基础。随着AI芯片对算力、散热和封装密度要求的不断攀升,传统基板已逼近物理极限,玻璃基板因此成为突破瓶颈的关键材料。
目前,全球半导体巨头均在加速玻璃基板布局。SKC旗下的Absolix早在2023年就在美国佐治亚州建成了全球首座半导体封装用玻璃基板制造工厂。据最新消息,Absolix生产的样品正在接受包括AMD、亚马逊云服务(AWS)在内的多家科技巨头的性能测试,如果可靠性测试顺利,最快有望在今年底启动量产。
除了SKC,英特尔在玻璃基板领域的进展同样迅猛。2026年1月,英特尔已正式宣布其首款搭载玻璃核心基板的Xeon 6+“Clearwater Forest”服务器处理器进入大规模量产阶段,成为业界首个实现商业化落地的玻璃基板产品。此外,三星电机、LG Innotek以及日本的大日本印刷株式会社(DNP)等企业也在紧锣密鼓地推进相关产线建设与技术研发,全球玻璃基板商业化进程正全面提速。
随着SK集团在面板级封装上的重注,业界预期未来台积电、群创光电与SK海力士有望合力打造“面板级封装铁三角”。台积电已将该技术命名为CoPoS(Chip-on-Panel-on-Substrate),并正在搭建试点产线,长远目标是用玻璃基板取代传统的硅中介层。
在面板级封装领域,台厂群创光电已实现超前部署。目前,群创在扇出型面板级封装的月产量已大幅提升,良率高且产能利用率满载,达到了经济规模。同时,群创在玻璃钻孔(TGV)等核心技术领域也取得了领先优势,并正与全球一线客户展开技术验证。05

中微半导体首创刻蚀技术,引全球行业巨头“抄作业”


近日,被誉为“中国刻蚀机之父”的中微半导体董事长尹志尧做客央视财经《对话》栏目,分享了中国半导体设备从打破垄断到引领全球的创新突围之路。
在节目中,尹志尧自豪地透露:“我们首创了甚高频去耦合反应离子刻蚀技术,后来国际三大设备公司都按这个方向做,现在100%的CCP(电容耦合等离子体)刻蚀机都在用这个方法。”这一“中国首创”技术不仅打破了国外在刻蚀机领域的长期垄断,更迫使全球行业巨头纷纷“抄作业”,成为了全行业的通用标准。
20多年前,全球等离子体刻蚀机市场被美国泛林、应用材料和日本东京电子三巨头牢牢把控,占据90%以上的市场份额。2004年,60岁的尹志尧毅然放弃在美国的百万年薪与顶尖公司高管职位,带着数百项专利的技术积累回国创业。
回国之初,为了规避敏感的技术纠纷,尹志尧要求所有团队成员签字画押,不带任何文件,使用全新的计算机,完全“从一张白纸开始”。凭借在行业深耕数十年的技术沉淀,尹志尧确立了“技术创新、产品差异化、知识产权保护”三大核心原则。他坚信:“过去能想出来,现在就能想出更好的,我们绝不重复国外的技术,一定要有创新。”
中微公司最具里程碑意义的突破,便是自主研发出甚高频去耦合反应离子刻蚀技术。这项技术解决了传统刻蚀机在精度与效率上的平衡难题,彻底重构了等离子体的控制精度。仅用三年时间,中微就打破了国外的技术垄断,而国际三大设备公司在三年后也全部转向了这条技术路线。
此外,中微首创的“双台机设计”同样写进了行业教科书。该设计实现了单台设备同时刻蚀两片硅片,不仅材料节省30%以上,且成本更低、性能更稳定。2007年,中微推出首台双反应台国产刻蚀设备,以远低于国际供应商的售价和更优的性能,硬生生在垄断市场中撕开了一道口子。
尹志尧回忆,创业初期曾向中芯国际创始人张汝京寻求支持。面对国产设备试错的风险,张汝京带头“吃螃蟹”,表示:“试新的设备一定会有风险,这个时间成本我们来负责。”正是这份包容与信任,让中微设备快速完成验证迭代。尹志尧透露,目前中芯国际的设备中至少有800台来自中微。
从60岁归国到82岁恢复中国国籍,尹志尧用22年时间将一家初创公司打造成市值超2000亿元的行业标杆。面对未来,中微公司正加速向平台化转型,计划在五年左右覆盖60%以上的集成电路高端关键设备。尹志尧呼吁更多下游客户给予国产设备机会,因为“如果没有人使用,设备永远不会进步”06

应用材料:半导体短缺将持续到2030年


应用材料公司总裁兼首席执行官加里·迪克森在5月14日举行的公司2026财年第二季度收益电话会议上表示,推动半导体需求的市场环境将在未来几年保持强劲。
迪克森表示:“由于计算需求不断增长,一些客户越来越担心到2030年的半导体供应问题。”
半导体需求的长期激增与人工智能时代的到来密切相关。业界认为,我们已经进入了智能体人工智能时代,在这个时代,系统无需人工干预即可自主执行任务。这一趋势推动了包括CPU、DRAM和NAND闪存在内的半导体需求激增。随着人工智能通过机器人、自动驾驶汽车和其他需要大量半导体的系统融入现实世界,下一阶段——物理人工智能——预计也将到来。应用材料公司预计,这些变化将带来结构性增长,并持续推动设备需求保持在目前的高位。
为了满足未来的需求,芯片制造商们已经在建设大量新的半导体制造厂。应用材料公司表示,目前该公司在全球范围内参与了100多个新的晶圆厂项目,仅第一季度就新增了10多个项目。这些项目大多是从零开始建设的大型新建晶圆厂。
这些新建的晶圆厂对设备的要求极高,这意味着工艺设备在投资成本和运营中都占据了很大比例。应用材料公司预计,随着这些设施分阶段建成,客户设备订单将大幅增长。该公司预计,从明年到2028年,主要设备的部署速度将加快。“我们将继续与客户进行磋商,同时展望明年和2028年,”迪克森表示。
应用材料正越来越多地签署2–3年长期供货协议,而非短期合同,旨在为客户大规模建厂与长期投资保障稳定供应。长期协议有助于维持盈利稳定,但也限制公司根据市场快速调价的能力。对此,应用材料计划通过持续推出高价值设备、逐步升级产品组合来提升毛利率。
即便在正式供货协议敲定前,公司也基于未来8个季度需求预测与核心客户紧密协作。客户会透明共享未来两年设备需求与订单计划,确保交付顺畅。
目前,应用材料设备交期约为8个季度,主要受半导体设备零部件供应链限制。随着芯片设备需求激增,多家零部件供应商已达产能上限。应用材料在全球拥有约2000家直接零部件供应商。首席财务官BriceHill表示,供应商扩产与追加投资需要较长周期。
除新建晶圆厂外,应用材料预计DRAM技术结构性变革(包括向3D DRAM过渡)将进一步拉动半导体工艺设备需求。典型案例是CMOS逻辑电路采用先进外延技术。外延工艺通过原子沿特定晶格排列,在晶圆上形成高质量半导体层,所获高纯度单晶层适用于高速、低功耗晶体管。在DRAM与NAND闪存中,CMOS逻辑用于控制存储单元的外围电路。07

长鑫科技单季狂收508亿,更新财报重启IPO


5月17日,上交所官方披露信息显示,国内DRAM芯片龙头长鑫科技集团股份有限公司已完成最新财务数据更新,正式恢复科创板IPO审核流程,当前审核状态为“已受理”。这家打破海外巨头垄断的国产存储企业,在AI算力浪潮带动下实现业绩爆发式增长,上市进程再度提速。本次长鑫科技IPO项目由中金公司、中信建投证券联合保荐,审计机构为德勤华永会计师事务所,上海市锦天城律师事务所提供法律服务,中介团队配置均为行业头部机构,保障项目合规推进。
长鑫科技2016年落地安徽合肥,是国内唯一实现DRAM芯片研发、设计、制造一体化的IDM模式企业,目前稳居全球第四大DRAM厂商,仅次于三星、SK 海力士、美光三大海外巨头,产品覆盖DDR、LPDDR全系列存储芯片,深度适配AI服务器、云计算、智能手机、智能汽车等核心应用场景,核心客户囊括阿里云、腾讯、字节跳动等国内头部科技企业,国产替代属性突出。
科创板IPO招股说明书(申报稿)显示,2026年1-3月,受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响,全球DRAM产品供不应求,价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势,同时,随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化,公司营业收入迅速增长。
同时,得益于2026年一季度DRAM产品价格的快速上涨,公司营业利润、利润总额、净利润、息税折旧摊销前利润、归属于母公司所有者的净利润及扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润均同比大幅增长
数据显示,2026年1-3月,公司营业收入508亿元,同比暴涨719.13%;净利润330.12亿元;归属于母公司所有者的净利润247.62亿元;扣除非经常损益后归属于母公司所有者的净利润263.41亿元。截至2026年3月31日,公司资产总额较 2025 年末增长15.26%,主要由于随着DRAM行业价格的持续快速上升,公司经营活动产生的现金流量净额快速增加,货币资金和交易性金融资产规模大幅增长。公司负债总额存在小幅上升,所有者权益随着资产总额的增长而较2025年末增长 24.34%。长鑫科技同时给出上半年业绩指引,预计2026年1-6月,随着DRAM行业产品价格的持续快速上涨,以及公司产销规模的持续增长、产品结构的不断优化,公司营收规模将达到1100至1200 亿元,同比增长612.53%至677.31%;净利润660亿元至750亿元,归属于母公司所有者的净利润500亿元至570亿元,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润520亿元至580亿元。08

国产存储龙头长江存储冲击IPO


国际电子商情19日讯 据证监会网站披露,国内领先的存储器IDM企业长江存储控股股份有限公司已正式启动首次公开发行股票并上市的辅导工作,辅导机构为中信证券与中信建投证券。这标志着这家估值高达1600亿元的半导体独角兽,迈出了登陆资本市场关键一步。根据上市辅导备案报告,长江存储成立于2016年12月21日,注册资本约178.2亿元,法定代表人为陈南翔。公司股权结构较为分散,无控股股东,其第一大股东湖北长晟发展有限责任公司直接持有公司26.5442%的股份。长江存储官网显示,公司是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。其全资子公司长江存储科技有限责任公司为全球市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品。在业务高速发展的同时,长江存储的市场地位与财务表现引人注目。在胡润研究院发布的《2025全球独角兽榜》中,长江存储以1600亿元估值首次入围,位列中国十大独角兽第九名,成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。近期有行业人士透露,长江存储2026年第一季度收入已超过200亿元,相较去年同期实现翻倍增长。其NAND闪存芯片产量据称已超过全球市场份额的10%,竞争位次正逼近全球第三。有分析指出,产能的快速扩张是支撑其增长的核心动力。目前,长江存储在武汉拥有两座晶圆厂,合计月产能约20万片。其三期项目已进入设备安装阶段,预计将于年内投产,并计划在2027年实现约5万片/月的阶段性产能目标。09

特朗普自曝入股英特尔内幕,本该多要一点,若早加关税就没台积电什么事了!


美国总统特朗普近日在接受《财富》杂志专访时,罕见地披露了美国政府入股芯片巨头英特尔的谈判内幕,并就全球半导体产业格局发表了强硬言论。
特朗普直言,如果当年他在任时能通过关税强力保护本土企业,英特尔本应成为“全球最大的公司”,也就不会有今天的台积电。
特朗普在采访中透露,去年8月美国政府与英特尔达成的入股协议,完全是一场“空手套白狼”的交易。他回忆称,当时英特尔CEO陈立武(Lip-Bu Tan)前往白宫与其会面,特朗普直接提出:“我要免费获得10%的股权。”而陈立武干脆地回答:“成交。”
事后,特朗普坦言自己当时心想:“该死,我应该多要一点的。”
这笔交易的具体操作是,美国政府将原本依据《芯片与科学法案》(CHIPS Act)计划发放给英特尔、但尚未支付的57亿美元补贴,直接转换为股权,再加上其他政府项目的32亿美元资金,总计约89亿美元获得了英特尔9.9%的股份,一跃成为其最大单一股东。
特朗普对这笔投资的回报率颇为得意。自交易达成后的短短九个月内,随着英特尔股价累计飙升超过300%,美国政府持有的这部分股份市值已从89亿美元暴涨至超过500亿美元。
特朗普在采访中难掩兴奋:“我每天都在做一些正常人根本不会做的交易……我得到任何夸奖了吗?有人知道这是我干的吗?”
特朗普在专访中表达了对英特尔“美国制造”复兴的极高期望,并直言若他在更早的任期内就任,将会通过实施关税来保护本土半导体产业。
与此同时,特朗普还将矛头对准了全球晶圆代工龙头台积电。他反复强调,台积电的崛起是因为美国过去“太蠢”,没有通过关税保护本土产业。
“英特尔原本会拿下现在这些业务,也不会有今天的台积电。”特朗普直言不讳地表示,如果当年美国对进口芯片征收100%甚至200%的关税,芯片制造产业绝不会离开美国,英特尔也就不会在代工领域被台积电和三星反超。
目前,台积电市值高达约1.84万亿美元,而英特尔市值约为5470亿美元,两者差距悬殊。
在特朗普政府的强力撮合与资本背书下,英特尔的代工业务(Intel Foundry)正迎来久违的转机。近期,有传言称美国本土科技巨头纷纷向英特尔下单。据《华尔街日报》等媒体报道,苹果已与英特尔达成初步协议,计划将部分iPhone及Mac的低端或前代芯片交由英特尔代工。这不仅是对英特尔18A等先进制程的早期验证,更是其代工业务重回正轨的关键信号。而埃隆·马斯克今年4月明确表示,计划在其庞大的Terafab项目中采用英特尔未来的芯片产品,双方将在德克萨斯州共建芯片制造厂

Q1台积电的7纳米


TSMC季度总营收:359亿美元


  • 等效12寸晶圆总出货:417.4万片/季(=4,174千片)
  • 总销售额:359亿美元
  • 7nm占比:13%,金额:46.67亿美元
  • 7nm月产能:约18.09万片(12寸等效)
  • 7nm每片售价:约9,500美元-


7nm总销售额:约46.67亿美元,占比13%


  • 7nm中EUV工艺:光刻`12层;DUV四次曝光光刻约60层


-占7nm:约20%–30%
-金额:约9.33–14.00亿美元
-占总营收:约2.60%–3.90%


☆ END ☆