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求是缘半导体周要闻－莫大康(2026.7.20)
来源: | 作者:芯缘 | 发布时间: 2026-07-21 | 177 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:

台积电中科厂1.4nm进度超前，2028年中量产



台积电2nm技术已如期在去年第4季开始量产，由于2nm产品良率超出预期，供应链透露，象征全新世代架构的中科1.4nm先进制程厂有望加速推进。
中科管理局7月10日表示，备受瞩目的台积电中科1.4nm制程新厂建厂进度超前，厂房（FAB）工程陆续完成发包，第一座厂房有望赶在明年4月前完工。供应链评估，最快明年第3季初进行试产作业，有机会赶在2028年中实现量产。
供应链指出，台积电扩大先进封测布局，旗下公司规划前进中科彰化二林园区投资两座高阶封测新厂，近期有望提出投资申请，初估土地需求超过20公顷，投资金额可能逼近千亿元新台币。02

中国宣布氦气临时出口管控，半导体圈慌了？


7月10日，中国商务部与海关总署联合发布公告，宣布对氦气实施临时禁止出口管理。政策自发布之日起即刻生效，未设置任何缓冲期或纯度豁免条款，意味着无论是工业级还是超高纯电子级氦气，均被纳入出口管控范围。此举不仅是对全球氦气供应链动荡的防御性回应，更标志着中国在战略资源管理上迈出了精细化、体系化的重要一步。
在大众认知中，氦气或许只是用来充气球或让嗓音变尖的玩具气体，但在现代高科技产业的深处，它是支撑芯片制造的“黄金气体”，是一种不可再生、无法人工合成的稀有惰性气体。尤其是在7nm、5nm乃至3nm以下的半导体先进制程工艺中，凭借极低的沸点（-268.9℃）、极强的导热性、完全的化学惰性，以及极小的分子体积这四大特性，氦气在以下四个关键环节发挥着决定性作用。
晶圆背面冷却
在等离子刻蚀、化学气相沉积（CVD）等高功率工艺中，晶圆正面会承受极高温度。氦气被充入晶圆与静电吸盘（ESC）之间的微米级缝隙中，利用其极高的热导率（是氮气的6倍），在几微秒内实现快速、均匀的导热。先进制程要求控温精度达到±0.5℃甚至±1℃，一旦氦气供应不足导致温度失控，硅片就会发生纳米级变形甚至直接报废。
EUV光刻机核心冷却
极紫外（EUV）光刻机是制造3nm等尖端芯片的必备设备，其内部的超导磁体和精密光学系统必须在4K（-269℃）的超低温下才能维持超导状态和光学稳定。液氦是实现并维持这一超低温环境的唯一介质。如果温度波动超过0.1℃，就会导致光刻畸变，造成整批晶圆报废。单台EUV光刻机每年的氦气消耗量通常超过1万升。
高精度氦质谱检漏
半导体制造对真空环境的要求极其苛刻，任何微小的杂质入侵都会导致良率暴跌。氦气的分子极小、穿透性极强，且在空气中的背景浓度极低。利用这一特性，工厂在工艺腔体、真空管路以及EUV高真空系统的全流程中，强制使用氦气进行ppb（十亿分之一）级别的灵敏度检漏，以守住芯片生产的气密性底线。
工艺载气与保护气
在薄膜沉积、刻蚀等反应流程中，氦气被用作载气来输送反应气体、稀释配比，或用于吹扫腔体。由于其完全的化学惰性，它能在保护晶圆表面不被氧化、不产生任何污染残留的同时，确保纳米级工艺窗口的稳定。制程越先进，对氦气的依赖越深。以单片晶圆的消耗量为例：90nm及以上成熟制程仅需约24L，14-28nm需要40-60L，7nm约需120L，而到了3nm先进制程，单片晶圆的氦气消耗量将飙升至150L以上。可以说，没有氦气的精准温控与保护，现代先进制程的芯片制造在物理层面上将无法进行。
然而，中国属于典型的“贫氦”国家，本土天然气氦丰度极低，长期以来对外依存度高达85%以上，进口来源高度集中于卡塔尔和俄罗斯。
2026年以来，全球氦气供应链接连遭受重创。中东地缘冲突导致霍尔木兹海峡航运受阻，卡塔尔重要生产设施遇袭停产；与此同时，俄罗斯宣布对氦气实施临时出口管制，大幅压缩亚洲市场配额。两大核心供应国同步收紧出口，导致全球氦气供应缺口一度超过四成，国际市场价格剧烈波动。在此背景下，中国国内氦气对外依存度高、出口却呈高增长态势的供需格局，已对本土高端产业链安全构成潜在威胁。03

2025全球功率半导体TOP20出炉，中国5大巨头强势入围


根据法国市场研究机构Yole Group发布的最新报告，受益于电动出行、工业电机驱动、光伏、储能系统、人工智能配套数据中心电源、电动汽车直流充电桩、轨道交通及高压直流输电(HVDC)等领域需求拉动，预计到2031年，市场规模将以7.1%的复合年增长率攀升至413亿美元。

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在2025年全球功率半导体制造商销售额TOP20榜单中，欧美日巨头依然牢牢把控着头部阵营。英飞凌凭借在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)三大材料体系上的全产品矩阵，以断层优势稳居榜首；安森美与意法半导体分列二三位。日本企业则展现出强大的集团作战能力，三菱电机(第4)、富士电机(第5)、东芝(第6)、罗姆(第8)和瑞萨电子(第14)五家企业集体入围，在硅基IGBT和SiC等细分领域占据重要生态位。
与此同时，华润微电子(第9)、士兰微电子(第10)、闻泰科技旗下安世半导体(第11)、比亚迪半导体(第13)和中国中车(第20)，五家中国企业首次携手跻身全球前二十。这一历史性突破的核心驱动力，源于中国庞大的本土内需市场。依托国内在新能源汽车、光伏储能等领域的领先地位，中国厂商在碳化硅晶圆、分立器件及工业功率模块领域的市场份额正迅速扩大，完成了从“跟随者”到“核心玩家”的身份转变。
尤其值得关注的是AI数据中心异军突起，成为驱动市场增长的核心引擎之一。随着AI机架功率向千安级电流和1000kW级别狂飙，传统功率器件已难以满足需求。此外，系统电压的全面升级（如电动汽车的电压从400V提升至800V，太阳能发电从1000V提升至1500V，电动汽车直流快速充电器从500V提升至1000V），对功率器件的耐压与热管理也提出了极致要求。技术创新的重心，也正从芯片本身向顶部冷却、双面散热、银烧结等先进封装技术转移。
在技术路线上，Yole预测，凭借成本竞争力、技术成熟度、高可靠性和广泛的生态系统，硅MOSFET和IGBT将继续在主流应用中保持核心地位。但SiC与GaN的市场份额将不断增长，预计到2031年，两者合计将占据31%的市场规模。
在SiC领域，受电动汽车市场短期放缓及中国厂商产能释放的影响，行业正经历供应过剩与价格战。未来，SiC的应用场景将发生分流：在大众市场面临激烈价格博弈的同时，数据中心供电、楼宇储能系统（BESS）、固态变压器等高附加值场景将成为新的溢价高地，同时晶圆尺寸也将从6英寸转向8英寸。
相比之下，GaN正处于更清晰的上升通道。尽管高压器件的可靠性仍是挑战，但其在消费电子快充及数据中心电源中的高频、高功率密度优势已确立。随着头部厂商向300毫米（12英寸）GaN晶圆技术迈进，GaN有望从“可用”跨入“规模可用”的新阶段。
总体而言，这份榜单不仅是中国功率半导体崛起的里程碑，更是全球产业格局重构的信号。在迈向413亿美元市场的征途中，未来的决胜点将属于那些在垂直整合、规模化交付以及系统级解决方案上建立起真正护城河的企业。04

机构民调69%美国人支持设AI主权财富基金，强制企业让渡50%股份


一边是科技大厂裁员不断、AI资本支出节节攀升，一边是普通劳动者对“饭碗被算法端走、红利被硅谷独吞”的不满在累积。最新民调显示，近七成美国人支持由政府设立人工智能主权财富基金，并强制AI企业将50%股份划转给公共基金。
7月13日消息，市场调研公司Verasight于6月对1690名美国成年人进行全国抽样调查，报告于本月发布。该调查结果是：69%的受访者支持“强制人工智能公司将其50%的股份转移给公共主权财富基金”——这一主张即便在通常对“政府介入市场”持怀疑态度的美国语境下，也拿到了接近七成的民意底盘。
Verasight首席执行官Benjamin Leff解读称：“在公众眼中，人工智能主权基金被视为一种将人工智能行业的收益重新分配给更广泛社会的工具。”
支撑这种情绪的不止是抽象的不平等焦虑。今年以来，微软、谷歌、Meta、亚马逊等科技巨头在加码AI数据中心与算力采购的同时，仍在持续做人员优化，“裁掉中层、扩招AI岗”的结构性调整让不少科技从业者感到饭碗松动。企业利润在涨，人头却在减——这种错位正是民调温度升高的直接背景。
今年6月，佛蒙特州独立参议员、资深进步派伯尼·桑德斯（Bernie Sanders）提出《美国人工智能主权财富基金法案》（American AI Sovereign Wealth Fund Act）。若法案通过，公众将持有美国最大AI公司50%的股份。
桑德斯在声明里表示：“这将确保人工智能带来的经济效益用于改善我们所有人的生活，而不仅仅是让世界上最富有的人更加富有。人工智能的未来和人类的命运不应该由硅谷的亿万富翁们在闭门会议中决定，他们只想着如何最大化自己的权力和利润。”
毫无疑问，在联邦层面立法强制AI巨头让渡50%股份由公众持有，是一项极具颠覆性的治理举措。其激进程度不仅远超欧盟《AI法案》的风险分级模式，也彻底突破了美国现有行政令仅聚焦安全与出口管制的传统边界。
值得一提的是，高盛高级全球经济学家Joseph Briggs在6月发布的报告中估算，在AI过渡的10年期间，超过9%的美国劳动力、约1500万工人可能失去工作。
然而，Windfall Trust也指出，主权基金内部会夹在两个使命之间拉扯——财政使命要求“为公民把收益最大化”，战略使命要求“建设国家AI能力、保持对前沿系统的影响力”。这意味着该基金在实际运作中面临两难困境，亟需在增进公共利益与参与全球AI能力竞赛之间寻求微妙平衡。05

本土存储公司业绩集体狂飙


近日，兆易创新发布2026上半年业绩预告，利润暴增1099%。这一成绩单不仅引爆了资本市场，更成为国内存储企业加速崛起的一个强烈信号。
当下，全球存储行业正处于超级周期，根据 TrendForce与 Gartner 权威机构最新数据，全球存储市场整体规模已恢复至历史高位，其中DRAM与NAND Flash 均迎来连续多季度的“价量齐升”。这也为中国企业提供了一个规模跃迁窗口。
按照募资规模计算，这将成为2026年以来A股规模最大的IPO之一，也是科创板成立以来仅次于中芯国际的超大型半导体IPO。
制造双雄冲刺IPO
作为本土存储产业的两大压舱石，长鑫存储与长江存储在攻克核心技术红利后，正迎来规模化量产与资本市场卡位的关键节点。
7月9日，长鑫科技披露科创板上市招股意向书，正式启动发行程序，计划于7月16日申购。公司此次拟募集资金295亿元，募集资金将主要投入存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及前瞻技术研发。
长鑫科技过去三年的业绩轨迹，也印证了这一产业规律。2023年至2025年，公司营业收入分别约为90.87亿元、241.78亿元和617.99亿元，2025年主营业务毛利率从2023年的-2.19%、2024年的5.00%快速提升至41.02%。长鑫科技在招股书中解释，前期毛利率偏低，主要是由于产能快速建设和爬坡阶段的折旧、摊销较高，规模效应尚未完全释放。
不过到2026年上半年，长鑫的盈利能力实现翻倍。公司预计实现营业收入1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计达到500亿至570亿元，而上年同期仍亏损23.32亿元，同比增幅最高达到2544.19%。这也显示了DRAM IDM跨过规模盈亏平衡点之后，价格、产量、良率和固定成本摊薄共同作用的结果。
与利润相比，长鑫科技约7.7%的全球份额可能更具长期意义。Omdia数据显示，2025年三星电子、SK海力士和美光在全球DRAM市场的销售额份额分别约为33.96%、34.48%和23.41%，三家合计超过90%。按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技市场份额已达到7.67%，位居全球第四。
另一边，国内3D NAND龙头长江存储也已在湖北证监局办理IPO辅导备案。2025年，根据第三方估值，长江存储曾以1600亿元估值进入胡润全球独角兽榜。
相比估值，更重要的是其全球市场地位。根据UBS的数据，长江存储2025年约占全球NAND Flash市场11.8%的份额，三星约为30.4%，SK海力士、铠侠和美光分别约为16%、15.9%和13.3%。UBS预计，长江存储的市场份额到2027年初可能超过14%。长江存储已经进入全球主要NAND供应商阵营。
由此可以看出，中国存储产业在DRAM和NAND领域开始形成两根真正意义上的上游支柱。过去，中国存储市场虽然拥有大量设计、模组、封测和渠道公司，但最上游的大容量DRAM和NAND颗粒长期依赖国际厂商。如今，两大IDM同时进入规模扩张和资本化阶段，意味着国内产业链第一次拥有了能够牵引晶圆制造、设备、材料、封测、控制器和下游应用的大型平台。06

谁在抢CoWoS？


如果说过去十年半导体行业的主旋律是“摩尔定律”，那么当下最响亮的关键词一定是先进封装。
随着大模型参数从百亿级狂飙至万亿级，单纯依靠工艺微缩提升算力的路径正在逼近物理极限。一颗AI芯片要同时装下海量计算单元与高带宽内存，传统2D封装早已力不从心。于是，HBM+CoWoS的黄金组合，几乎成了所有高端AI芯片厂商的必选项。
从英伟达的Blackwell架构GPU，到AMD的MI系列加速器，再到云厂商自研的训练芯片——谁能拿到足够的CoWoS产能，谁才能在AI算力竞赛中真正站稳脚跟。
为什么非CoWoS不可？
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是台积电研发的2.5D先进封装技术。简单来说，它不再把芯片和内存直接焊在基板上，而是通过高密度的TSV（硅通孔）和微凸点，将GPU/ASIC等计算芯片与HBM内存芯片并排放置在一片中介层（Interposer）上，通过中介层内部密集的微细线路实现芯片间的高速互联，最后整体封装到基板上。

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2011年，台积电正式推出CoWoS，历经多轮迭代，目前已形成CoWoS-S（整片硅中介层）、CoWoS-R（RDL中介层）和CoWoS-L（局部硅桥+有机基板）三类方案。其中CoWoS-L是当前主流方案——以“局部硅桥”替代超大单片硅中介层，在降低翘曲与成本的同时，支持更大的封装面积和更多的HBM堆叠。
这套架构的核心优势非常明显：
  • 带宽提升：HBM与GPU通过硅中介层直接互联，带宽可达传统DDR的数十倍，彻底解决AI训练中的“内存墙”问题；
  • 功耗更低：信号传输距离大幅缩短，数据搬运功耗显著下降；
  • 集成度更高：多颗Chiplet小芯片+多颗HBM可以在同一个封装内协同，突破单颗芯片的面积限制。


可以说，没有CoWoS，或许就没有今天动辄数千亿参数的大模型训练芯片。
谁在抢CoWoS？

根据摩根士丹利对供应链的调研预测，2026年全球关键客户CoWoS晶圆总需求约为138.4万片，到2027年将飙升至268.2万片，两年近乎翻倍。这场产能争夺战的参与者，早已从单一的GPU厂商蔓延至整个AI算力产业链。

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第二批中国企业获美许可采购英伟达H200及AMD高端AI芯片，交付落地仍存不确定性


7月14日，据海外媒体及知情人士透露，中兴通讯全资子公司中兴康讯电信、专业服务器制造商Maginfra、金山云子公司珠海横琴云祥智盛网络科技三家企业，正式获得美国商务部发放的出口许可，获准采购英伟达和AMD旗下的先进AI芯片产品。这是继今年5月阿里巴巴、腾讯、字节跳动、京东等国内头部企业获批后，第二批获得相关先进AI芯片采购权限的中国科技企业。
然而，与5月首批获批企业面临的境遇相似，这批许可的落地前景依然笼罩在不确定性之中。尽管美方出口许可证已发放，但芯片能否最终交付、何时交付，仍取决于中美两端复杂的审批与审查程序，以及中国国内持续推进的国产算力替代政策导向。
据相关文件及两位知情人士确认，本次获批的三家主体中，中兴康讯电信与Maginfra获得的是英伟达H200芯片的采购资格。H200是英伟达当前性能第一梯队的旗舰AI算力产品，主要面向超大规模AI模型的训练和高负载推理场景，也是近年来中美半导体科技博弈的核心焦点品类。
另一家获批主体——珠海横琴云祥智盛网络科技（金山云子公司），则获准采购AMD旗下部分性能参数对标H200的高端AI芯片产品。
这三家公司此前未出现在公开的许可名单中，它们的加入使得获准采购先进AI芯片的中国企业名单进一步扩容，从互联网巨头延伸至通信设备商、服务器制造商及云服务商子公司。
今年5月，路透社曾报道美国已批准约10家中国公司采购英伟达芯片，其中包括阿里巴巴、腾讯、字节跳动和京东等国内头部互联网企业。但当时由于华盛顿和北京两端的审批与审查程序交织，相关交易并未实际启动交付。
此次三家企业获批，标志着美方对华先进AI芯片出口许可名单的持续扩大。有行业知情人士透露，近期已有不少国内头部云服务商私下告知合作伙伴和核心客户，可能很快能够获得H200芯片并完成到货部署，相关信号暗示中国监管层面对于这批先进算力芯片的进口审批流程正在有序推进。
不过，出口许可并不等于芯片到手。
自2022年以来，美国政府以国家安全为由持续收紧对华先进AI芯片出口限制，认为该技术可能助力中国军事现代化。尽管特朗普政府允许H200芯片对华销售，部分观点认为出口有助于巩固美国技术主导地位，但实际的审批与执行层面始终存在变数。
报道显示，5月首批获批的约10家中国公司至今未能实现H200芯片的实际交付。有美国官员证实，H200及同类产品的对华发货量"极少"。这意味着，美方的出口许可只是整个采购链条的第一环，后续的出口审批、物流交付、中国端的进口监管等环节，均可能成为堵点。
更深层的不确定性来自政策导向。当前中国一直在持续大力扶持国产算力芯片替代方案的落地，政策端的导向为这批获批进口芯片的实际对华交付、后续部署进度增添了变数。即便美方许可在手，企业是否最终下单、芯片能否顺利入关并投入实际使用，仍是未知数。
截至目前，中兴通讯、Maginfra、金山云、英伟达、AMD以及中国商务部均未对相关置评请求作出公开回应。负责美国出口管制规则执行的美国商务部工业与安全局，亦未就本次许可发放消息给出官方公开评论。
在各方保持沉默的背景下，市场正密切关注事态的下一步进展。对于依赖高端AI算力开展大模型训练与推理的中国科技企业而言，H200等进口芯片的供应稳定性直接关系到其业务布局；而对于正在加速追赶的国产AI芯片产业而言，进口通道的"开"与"关"，也在一定程度上影响着国内替代方案的推进节奏。08

光刻机卖爆了，ASML官宣扩产30%


7月15日消息，ASML公布了2026年第二季度财报。总净销售额93.26亿欧元，净利润29.18亿欧元，两项核心指标均超出华尔街分析师预期。
ASML在交出亮眼第二季度财报的同时，还在年内第二次大幅上调全年业绩指引，将2026年全年销售额预测大幅提高至430亿至450亿欧元（约合491亿至514亿美元）。
值得关注的是，ASML自身也在推动扩产，计划基于2026年约65台低数值孔径（Low NA）EUV的产能规划之上，在2027年将产能提升30%，并正研究于2028年进一步提高30%的产能。同时，计划基于2026年约130台浸润式DUV的产能规划之上，在2027年将产能提升30%，并正研究于2028年再提高30%的产能。
受此推动，ASML坐稳了欧洲市值第一大上市公司的宝座。2026年以来，ASML股价也已累计上涨超68%，过去12个月内实现股价翻番。

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2026年第二季度的净系统销售结构中，逻辑芯片重新占据主导，与存储芯片的营收占比分别为51%和49%。此前第一季度，存储客户的订单比例曾以51%历史性反超逻辑客户。
从技术结构来看，虽然EUV系统的营收贡献占比从第一季度的66%回调至57%，但依旧是ASML的主要营收支柱。在出货量上，第二季度ASML共售出了16台EUV系统，与第一季度持平。
相比之下，ArFi（浸润式深紫外光刻）系统在第二季度迎来回暖，营收占比从第一季度的23%增长至29%，销量也从一季度的17台增至23台，显示出晶圆厂对深紫外设备的补货需求。
面对前所未有的拉货压力，傅恪礼透露，ASML在2026年计划出货约65台低数值孔径EUV设备，并推动全年EUV业务营收增长45%；同时，浸润式系统出货量预计将达到130台。
“我们计划将2027年EUV产能在2026年基础上提升30%。展望2028年，我们已经收到客户大量EUV订单，这也促使我们认真评估在2028年将EUV产能再提高30%的可能性。在EUV订单增长的同时，DUV也随之增长，其中浸润式DUV仍将发挥重要作用。我们计划在2027年将其产能提升30%，并正在评估2028年进一步提高30%的产能。”傅恪礼说09

国产AI算力不卷制程卷架构，东方算芯DF1000的三维突围


7月13日的上海，东方算芯首场新品发布会现场坐了七百余位嘉宾。当魏少军走上台时，距离他2024年5月20日创办这家公司，刚好过去两年多。这位在清华大学微电子所深耕可重构计算近二十年的学者，现在要交给产业界的，是一颗基于14nm制程、全国产供应链打造的AI芯片——DF1000。
国内首颗采用逻辑与存储晶圆级混合键合的3DAI芯片、128卡集群全功能稳定运行、520TFLOPS@BF16的算力输出——这些数字在发布会上被逐一验证。但在魏少军看来，比单点性能更重要，是东方算芯试图证明一件事：在先进制程与HBM供应受限的现实条件下，通过架构创新与3D堆叠，国产算力依然有可能走出一条可落地、可扩展的路。
在东方算芯之前，AI算力芯片的技术版图基本被两类路线瓜分：一类是面向特定场景的专用架构DSA，另一类是以GPGPU为代表的通用路线。前者在产业早期曾占据一席之地，但随着大模型算法每隔几个月就显著迭代，其灵活性和通用性不足的短板日益暴露；后者虽然是当前国际主流，却高度依赖先进制程的持续微缩。
“如何在现有工艺制程条件下实现高性能，且能够满足通用大模型发展的芯片路线，对中国来说是一个独有的问题、独有的困难。”发布会前接受媒体采访时，魏少军如此定义东方算芯要回答的命题。
他的解法，源于2006年清华微电子所时期积累的可重构计算技术。这项技术允许通过软件动态改变芯片功能，兼顾灵活性与效率。在此基础上演进而来的“软件定义芯片”技术，让东方算芯找到了差异化空间——芯片不再被硬件逻辑固化，而是根据负载动态重构数据通路。
“软件定义+3D堆叠的近存计算技术路线，可以很好地克服前面讲到的两个问题。首先，它不需要依赖最先进的工艺技术，也可以实现高性能。同时，它不需要依赖当前国际上受限的大容量存储，也可以实现高存储量和大带宽。”魏少军说。
DF1000的物理基础
DF1000的物理基础，是一次对芯片内部空间的重新组织。
传统AI芯片将计算单元与HBM存储分置于不同平面，数据搬运路径长、功耗高，且HBM本身的供应与工艺门槛难以逾越。东方算芯选择通过HybridBonding混合键合技术，将逻辑层与DRAM层直接垂直堆叠，互连间距从传统方案的数十微米压缩至亚微米级别。这意味着，存储与计算之间的物理距离被大幅缩短，同等容量下的访存带宽可达传统HBM方案的5倍以上。
“DF1000的目标不是把几个参数做得好看，而是解决大模型训练和推理过程中的真实瓶颈。”东方算芯副总裁郭炜在发布会上表示，“今天行业面临的核心问题，并不只是算力不够，更是数据搬运代价过高、带宽受限、资源利用率不高。”
发布会现场，与DF1000芯片同步亮相的，是一套完整的产品阶梯：遵循OAM2.0规范的巅峯DF1000加速卡，支持风冷与液冷双形态；单台算力4.16PFLOPS的擎元QY100服务器；64卡整合为33PFLOPS的拓域TY64超节点；以及已经实现全功能稳定运行的128卡慧算集群。10

1.8万亿砸向美国台积电变“美积电”？


在人工智能浪潮的强力推动下，全球半导体代工巨头台积电再次刷新了其在美投资的纪录。
7月16日，台积电董事长兼总裁魏哲家在第二季度法人说明会上宣布，将在美国亚利桑那州追加1000亿美元投资。至此，台积电在美国的总投资承诺规模已飙升至2650亿美元（约合人民币1.8万亿元），成为美国历史上规模最大的单笔外国直接投资之一。
这笔千亿美元的追加资金，将主要用于在亚利桑那州新建4座或更多晶圆厂以及先进封装配套产线。建成后，台积电在美国的制造集群将扩充至10座晶圆厂和2座先进封装设施，新增产能将全面聚焦于2纳米及以下的尖端制程逻辑芯片。台积电此举旨在通过“集群化”的在地布局，将最先进的制造与封装能力直接锁定在苹果、英伟达等核心客户的“家门口”，以应对未来多年内极度强劲的本土需求。
同日公布的第二季度财报显示，台积电净利润同比暴增77.4%至7066亿新台币，连续五个季度打破历史纪录。其中，7纳米及以下先进制程贡献了高达77%的营收，而备受瞩目的2纳米制程也已首次实现商业化，贡献了3%的收入。魏哲家强调，AI尤其是代理型AI（Agentic AI）的崛起，正在打破半导体行业传统的周期波动，开启一个至少持续到2030年的长周期高增长阶段。
为了承接这一庞大的算力需求，台积电同步上调了全球资本支出与营收预期。公司预计2026年全年美元营收同比增幅将略高于40%，并将年度资本支出上限由560亿美元大幅上调至640亿美元。这笔巨额资金中，约70%至80%将精准投向先进制程，以确保在技术代差上持续压制竞争对手。
魏哲家表示，预计于2028年开始量产的A14制程节点技术开发进展顺利，状况良好，移动和HPC客户均表现出强烈兴趣。台积电的1.4nm家族将成为比2nm更大、更持久的工艺。此外，台积电预计其2026年Q3合并营收446~458亿美元，毛利率65%~57%、营业利润率58%；2026全年按美元计收入增幅将超过40%。
从全球产业格局来看，台积电的“2650亿美元美国版图”标志着全球半导体先进产能“双核心”格局的正式确立。通过在美国本土复制完整的先进制程与封装生态，台积电不仅为美国客户提供了对冲地缘风险的供应链保障，也进一步拉高了行业准入门槛，使得三星、英特尔等追赶者的窗口期被急剧压缩。
不过，美国本土高昂的建设与运营成本、熟练劳动力的短缺，以及庞大的资金调度压力，也让台积电这场万亿级别的产业投资面临挑战。同时，尽管台积电承诺将继续加大对台湾本土的投资，但核心产能的跨洋转移，依然引发了外界对台湾半导体产业长期竞争力的担忧。
☆ END ☆